BSC012N06NSATMA1

BSC012N06NSATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc012n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC012N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC012N06NSATMA1 за ціною від 93.24 грн до 309.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC012N06NSATMA1 BSC012N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC012N06NS_Rev2.1_2018-12-11.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+113.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1 BSC012N06NSATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC012N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7c20157643b Description: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+153.13 грн
500+107.23 грн
1000+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1 BSC012N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC012N06NS_DataSheet_v02_03_EN-3360735.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.82 грн
10+217.89 грн
25+182.75 грн
100+135.76 грн
500+111.89 грн
1000+108.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1 BSC012N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC012N06NS_Rev2.1_2018-12-11.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 12613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.43 грн
10+202.02 грн
100+142.52 грн
500+109.92 грн
1000+102.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1 BSC012N06NSATMA1 Виробник : INFINEON BSC012N06NS_Rev2.1_2018-12-11.pdf Description: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+309.61 грн
10+216.73 грн
100+153.13 грн
500+107.23 грн
1000+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.