Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N04LSATMA1
BSC014N04LSATMA1

BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies

DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC014N04LSATMA1 за ціною від 39.19 грн до 167.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.54 грн
250+75.08 грн
1000+50.24 грн
3000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.93 грн
127+111.51 грн
183+77.45 грн
500+59.73 грн
1000+51.11 грн
5000+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.53 грн
50+108.54 грн
250+75.08 грн
1000+50.24 грн
3000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LS-DataSheet-v02_09-EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 7533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.28 грн
10+102.94 грн
100+60.62 грн
500+49.13 грн
1000+44.05 грн
2500+41.23 грн
5000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 6513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.31 грн
10+102.55 грн
100+69.22 грн
500+51.56 грн
1000+47.24 грн
2000+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+108.54 грн
250+75.08 грн
1000+50.24 грн
3000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_09-en.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
90+157.93 грн
127+111.51 грн
183+77.45 грн
500+59.73 грн
1000+51.11 грн
5000+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+159.53 грн
50+108.54 грн
250+75.08 грн
1000+50.24 грн
3000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 Infineon-BSC014N04LS-DataSheet-v02_09-EN.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 7533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+165.28 грн
10+102.94 грн
100+60.62 грн
500+49.13 грн
1000+44.05 грн
2500+41.23 грн
5000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 6513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+167.31 грн
10+102.55 грн
100+69.22 грн
500+51.56 грн
1000+47.24 грн
2000+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.