Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N04LSATMA1
BSC014N04LSATMA1

BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies

1030431697957763bsc014n04ls_rev11.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSC014N04LSATMA1 за ціною від 46.42 грн до 160.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+76.2 грн
500+ 63.75 грн
1000+ 47.9 грн
5000+ 46.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 4874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.54 грн
10+ 91.29 грн
100+ 72.66 грн
500+ 57.7 грн
1000+ 48.96 грн
2000+ 46.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LS_DataSheet_v02_08_EN-3360750.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.31 грн
10+ 101.85 грн
100+ 70.59 грн
250+ 68.59 грн
500+ 58.87 грн
1000+ 47.95 грн
2500+ 47.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+141.19 грн
10+ 106.08 грн
100+ 76.2 грн
500+ 63.75 грн
1000+ 47.9 грн
5000+ 46.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
79+148.82 грн
Мінімальне замовлення: 79
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
73+160.72 грн
79+ 148.82 грн
100+ 124.02 грн
200+ 113.84 грн
500+ 95.67 грн
1000+ 76.71 грн
2000+ 74.32 грн
5000+ 70.07 грн
10000+ 67.69 грн
Мінімальне замовлення: 73
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1030431697957763bsc014n04ls_rev11.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
товар відсутній