Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC014N04LSATMA1

BSC014N04LSATMA1

DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
Код товару: 222639
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC014N04LSATMA1 за ціною від 32.66 грн до 177.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
569+62.24 грн
1000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 8679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+77.89 грн
50+58.47 грн
100+48.98 грн
500+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 29809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.01 грн
10+121.48 грн
100+84.52 грн
500+66.03 грн
1000+52.51 грн
2000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_09-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 29809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.01 грн
117+121.48 грн
168+84.52 грн
500+66.03 грн
1000+52.51 грн
2000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LS-DataSheet-v02_09-EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_09-en.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
569+62.24 грн
1000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 8679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.76 грн
10+77.89 грн
50+58.47 грн
100+48.98 грн
500+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_09-en.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 29809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+177.01 грн
10+121.48 грн
100+84.52 грн
500+66.03 грн
1000+52.51 грн
2000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 infineon-bsc014n04ls-datasheet-v02_09-en.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 29809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+177.01 грн
117+121.48 грн
168+84.52 грн
500+66.03 грн
1000+52.51 грн
2000+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 Infineon-BSC014N04LS-DataSheet-v02_09-EN.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.