Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N04LSIATMA1
BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC014N04LSIATMA1 за ціною від 63.33 грн до 176.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
128+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 128
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+101.35 грн
15000+ 99.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+110.27 грн
250+ 107.84 грн
1000+ 98.63 грн
3000+ 88.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
102+120.78 грн
Мінімальне замовлення: 102
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+127.71 грн
Мінімальне замовлення: 96
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+135.41 грн
50+ 110.27 грн
250+ 107.84 грн
1000+ 98.63 грн
3000+ 88.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+145.87 грн
10+ 121.13 грн
25+ 119.84 грн
100+ 91.41 грн
250+ 83.75 грн
500+ 78.58 грн
1000+ 76.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+160.41 грн
10+ 133.96 грн
100+ 106.67 грн
500+ 92.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360623.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 93102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.5 грн
10+ 124.68 грн
100+ 80.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 63992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.7 грн
10+ 111.51 грн
100+ 78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній