Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N04LSIATMA1
BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies

BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.70 грн
15000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm.

Інші пропозиції BSC014N04LSIATMA1 за ціною від 38.74 грн до 254.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
582+60.71 грн
1000+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 32370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.08 грн
10+78.16 грн
50+58.66 грн
100+49.13 грн
500+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.56 грн
127+111.57 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.05 грн
85+167.93 грн
127+111.48 грн
250+106.43 грн
500+85.71 грн
1000+73.95 грн
3000+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.70 грн
10+168.89 грн
100+114.44 грн
500+99.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.13 грн
84+169.18 грн
124+114.64 грн
500+100.07 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+251.08 грн
10+168.32 грн
100+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+254.33 грн
10+168.05 грн
25+167.93 грн
100+107.50 грн
250+98.55 грн
500+82.29 грн
1000+73.95 грн
3000+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 34075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 23961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 23961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014N04LSI-Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 96 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
582+60.71 грн
1000+55.98 грн
Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 32370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.08 грн
10+78.16 грн
50+58.66 грн
100+49.13 грн
500+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+166.56 грн
127+111.57 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+168.05 грн
85+167.93 грн
127+111.48 грн
250+106.43 грн
500+85.71 грн
1000+73.95 грн
3000+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+247.70 грн
10+168.89 грн
100+114.44 грн
500+99.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+248.13 грн
84+169.18 грн
124+114.64 грн
500+100.07 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+251.08 грн
10+168.32 грн
100+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+254.33 грн
10+168.05 грн
25+167.93 грн
100+107.50 грн
250+98.55 грн
500+82.29 грн
1000+73.95 грн
3000+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 34075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 23961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 23961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI-Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 96 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+59.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.