Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC014N04LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 4318669-3
Price: 292800.00 UAH
Availability: InStock

BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	58.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC014N04LSIATMA1 за ціною від 56.11 грн до 290.03 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	60.12 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	63.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 3226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	70.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	70.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 740000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	86.69 грн
380000+	79.21 грн
570000+	73.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
284+	111.93 грн
500+	100.74 грн
1000+	92.91 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
284+	111.93 грн
500+	100.74 грн
1000+	92.91 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
284+	111.93 грн
500+	100.74 грн
1000+	92.91 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	112.24 грн
15000+	97.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
99+	129.12 грн
126+	101.23 грн
500+	83.11 грн
1000+	69.29 грн

Мінімальне замовлення: 99

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

на замовлення 65958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	174.63 грн
10+	126.11 грн
100+	81.64 грн
500+	65.96 грн
1000+	60.99 грн
2500+	57.95 грн
5000+	56.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
72+	178.24 грн
98+	130.09 грн
100+	126.71 грн
1000+	112.50 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	190.88 грн
10+	138.76 грн
100+	107.93 грн
500+	74.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V

на замовлення 25784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	200.01 грн
10+	124.32 грн
100+	85.35 грн
500+	64.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 23748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	211.91 грн
250+	158.03 грн
1000+	110.06 грн
3000+	96.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 23748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	290.03 грн
50+	211.91 грн
250+	158.03 грн
1000+	110.06 грн
3000+	96.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC014N04LSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.