Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N04LSIATMA1
BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC014N04LSIATMA1 за ціною від 63.58 грн до 217.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+66.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 445000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+105.01 грн
15000+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+107.52 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+107.52 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+107.52 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.27 грн
500+79.37 грн
1000+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+159.65 грн
10+115.67 грн
100+93.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+161.48 грн
94+130.64 грн
109+111.98 грн
500+106.41 грн
1000+97.81 грн
2000+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+172.86 грн
98+125.24 грн
121+100.80 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 42098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.25 грн
10+127.67 грн
100+90.53 грн
500+66.83 грн
1000+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0010613477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+210.84 грн
10+152.23 грн
100+108.27 грн
500+79.37 грн
1000+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360623.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 82531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.58 грн
10+155.22 грн
100+95.79 грн
500+77.65 грн
1000+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.