Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC014N04LSTATMA1

BSC014N04LSTATMA1

Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
Код товару: 198659
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC014N04LSTATMA1 за ціною від 48.84 грн до 157.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+80.72 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+103.40 грн
500+93.06 грн
1000+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+103.40 грн
500+93.06 грн
1000+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+115.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 7804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.79 грн
10+97.40 грн
100+66.36 грн
500+49.81 грн
1000+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 INFINEON INFN-S-A0002262885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LST_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 INFINEON INFN-S-A0002262885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+80.72 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
340+103.40 грн
500+93.06 грн
1000+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
340+103.40 грн
500+93.06 грн
1000+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 infineonbsc014n04lstdatasheetv0203en.pdf
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+115.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 7804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.79 грн
10+97.40 грн
100+66.36 грн
500+49.81 грн
1000+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 INFN-S-A0002262885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 Infineon_BSC014N04LST_DataSheet_v02_03_EN.pdf
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 INFN-S-A0002262885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.