BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 41.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V.
Інші пропозиції BSC014N04LSTATMA1 за ціною від 47.2 грн до 182.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC014N04LSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC014N04LSTATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm |
на замовлення 14593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC014N04LSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V |
на замовлення 3860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC014N04LSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSTATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm |
на замовлення 14593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 Код товару: 198659 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC014N04LSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V |
товар відсутній |