Інші пропозиції BSC014N04LSTATMA1 за ціною від 45.67 грн до 198.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 7506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 6218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
на замовлення 4365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V |
на замовлення 7804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC014N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 54.01 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 61.05 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 61.05 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 62.02 грн |
| 25+ | 61.67 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 63.81 грн |
| 500+ | 53.30 грн |
| 1000+ | 46.38 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 340+ | 104.10 грн |
| 500+ | 93.69 грн |
| 1000+ | 86.41 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 340+ | 104.10 грн |
| 500+ | 93.69 грн |
| 1000+ | 86.41 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 116.43 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.79 грн |
| 10+ | 89.16 грн |
| 100+ | 56.95 грн |
| 500+ | 49.55 грн |
| 1000+ | 45.88 грн |
| 2500+ | 45.67 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 182.55 грн |
| 10+ | 83.05 грн |
| 100+ | 63.81 грн |
| 500+ | 53.30 грн |
| 1000+ | 46.38 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 194.38 грн |
| 145+ | 97.93 грн |
| 146+ | 96.96 грн |
| 148+ | 92.56 грн |
| 184+ | 68.79 грн |
| 250+ | 63.06 грн |
| 500+ | 59.84 грн |
| 1000+ | 53.40 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 7804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.23 грн |
| 10+ | 122.55 грн |
| 100+ | 83.53 грн |
| 500+ | 62.69 грн |
| 1000+ | 57.64 грн |
| 2000+ | 53.40 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






