Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N06NSATMA1
BSC014N06NSATMA1

BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies

BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+103.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC014N06NSATMA1 за ціною від 106.43 грн до 407.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 INFINEON 3770723.pdf Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+267.25 грн
250+194.88 грн
1000+151.19 грн
3000+129.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 67843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.38 грн
10+201.20 грн
100+142.22 грн
500+114.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.81 грн
10+235.06 грн
100+149.42 грн
500+126.16 грн
1000+120.53 грн
2500+116.30 грн
5000+106.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 INFINEON 3770723.pdf Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+407.86 грн
50+267.25 грн
250+194.88 грн
1000+151.19 грн
3000+129.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC014N06NS-Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Транзистори Кор
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 887 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+124.66 грн
Мінімальне замовлення: 887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 3770723.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+267.25 грн
250+194.88 грн
1000+151.19 грн
3000+129.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd
BSC014N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 67843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+316.38 грн
10+201.20 грн
100+142.22 грн
500+114.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 Infineon_BSC014N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+361.81 грн
10+235.06 грн
100+149.42 грн
500+126.16 грн
1000+120.53 грн
2500+116.30 грн
5000+106.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 3770723.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+407.86 грн
50+267.25 грн
250+194.88 грн
1000+151.19 грн
3000+129.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NS-Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Транзистори Кор
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 887 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+124.66 грн
Мінімальне замовлення: 887 шт
В кошику  од. на суму  грн.