BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 101.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC014N06NSATMA1 за ціною від 104.53 грн до 400.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC014N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC014N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC014N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 18630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC014N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 19514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC014N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V |
на замовлення 7380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC014N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS |
на замовлення 4627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC014N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 19514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSC014N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Група товару: Т кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 887 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
BSC014N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BSC014N06NSATMA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
BSC014N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ |
товару немає в наявності |