Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N06NSATMA1
BSC014N06NSATMA1

BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies

BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+69.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 156W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm.

Інші пропозиції BSC014N06NSATMA1 за ціною від 79.04 грн до 354.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+166.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 60694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.94 грн
10+150.54 грн
50+115.39 грн
100+97.67 грн
500+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.80 грн
100+211.94 грн
500+181.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+354.54 грн
57+250.23 грн
100+191.28 грн
500+154.26 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 INFINEON 3770723.pdf Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 15909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 INFINEON 3770723.pdf Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 15909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC014N06NS-Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Транзистори Кор
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 887 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+124.66 грн
Мінімальне замовлення: 887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+166.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd
BSC014N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 60694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.94 грн
10+150.54 грн
50+115.39 грн
100+97.67 грн
500+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+299.80 грн
100+211.94 грн
500+181.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+354.54 грн
57+250.23 грн
100+191.28 грн
500+154.26 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 Infineon_BSC014N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 3770723.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 15909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 3770723.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 15909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NS-Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Транзистори Кор
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 887 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+124.66 грн
Мінімальне замовлення: 887 шт
В кошику  од. на суму  грн.