Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N06NSTATMA1
BSC014N06NSTATMA1

BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+120.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 188W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm.

Інші пропозиції BSC014N06NSTATMA1 за ціною від 54.63 грн до 242.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+120.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+142.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+142.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 4361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.20 грн
10+114.00 грн
100+78.05 грн
500+58.81 грн
1000+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.31 грн
10+210.74 грн
25+206.89 грн
100+181.71 грн
250+164.49 грн
500+146.03 грн
1000+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.31 грн
67+210.74 грн
68+206.89 грн
100+181.71 грн
250+164.49 грн
500+146.03 грн
1000+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+242.35 грн
60+237.66 грн
100+216.59 грн
500+184.02 грн
1000+168.30 грн
2000+149.52 грн
5000+145.51 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N06NST_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 INFINEON INFN-S-A0004843239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 9515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 INFINEON INFN-S-A0004843239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 9515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+120.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+142.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+142.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 4361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.20 грн
10+114.00 грн
100+78.05 грн
500+58.81 грн
1000+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+230.31 грн
10+210.74 грн
25+206.89 грн
100+181.71 грн
250+164.49 грн
500+146.03 грн
1000+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+230.31 грн
67+210.74 грн
68+206.89 грн
100+181.71 грн
250+164.49 грн
500+146.03 грн
1000+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+242.35 грн
60+237.66 грн
100+216.59 грн
500+184.02 грн
1000+168.30 грн
2000+149.52 грн
5000+145.51 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 Infineon_BSC014N06NST_DataSheet_v02_02_EN.pdf
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 INFN-S-A0004843239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 9515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 INFN-S-A0004843239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
на замовлення 9515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.