Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N06NSTATMA1
BSC014N06NSTATMA1

BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+105.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC014N06NSTATMA1 за ціною від 101.12 грн до 214.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+107.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+112.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+122.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+124.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+133.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.60 грн
500+117.91 грн
1000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 5753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.77 грн
10+144.63 грн
100+126.40 грн
500+118.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC014N06NST_DataSheet_v02_02_EN-3360787.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.28 грн
10+157.07 грн
100+119.23 грн
2500+116.96 грн
5000+101.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.24 грн
10+165.92 грн
100+145.60 грн
500+117.91 грн
1000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+200.50 грн
67+183.46 грн
68+180.11 грн
100+158.19 грн
250+143.20 грн
500+127.13 грн
1000+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+210.97 грн
60+206.90 грн
100+188.55 грн
500+160.20 грн
1000+146.51 грн
2000+130.17 грн
5000+126.67 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.82 грн
10+196.56 грн
25+192.98 грн
100+169.49 грн
250+153.43 грн
500+136.21 грн
1000+127.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 FL; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+161.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.