Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014N06NSTATMA1
BSC014N06NSTATMA1

BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC014N06NSTATMA1 за ціною від 101.32 грн до 220.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+111.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+122.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+123.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+131.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.90 грн
500+118.15 грн
1000+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.49 грн
10+144.45 грн
100+125.99 грн
500+115.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.64 грн
10+166.25 грн
100+145.90 грн
500+118.15 грн
1000+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+198.57 грн
67+181.69 грн
68+178.38 грн
100+156.67 грн
250+141.82 грн
500+125.90 грн
1000+117.94 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+208.95 грн
60+204.91 грн
100+186.74 грн
500+158.66 грн
1000+145.10 грн
2000+128.91 грн
5000+125.45 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+212.75 грн
10+194.67 грн
25+191.12 грн
100+167.86 грн
250+151.95 грн
500+134.90 грн
1000+126.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC014N06NST-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.54 грн
10+173.91 грн
100+127.79 грн
500+119.47 грн
5000+101.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 FL; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+162.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.