Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies

BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V.

Інші пропозиції BSC014NE2LSIATMA1 за ціною від 36.30 грн до 168.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014NE2LSI_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.44 грн
10+81.87 грн
100+52.16 грн
500+41.44 грн
1000+38.84 грн
2500+38.34 грн
5000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1 Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.10 грн
10+103.39 грн
100+69.83 грн
500+52.04 грн
1000+47.70 грн
2000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 Infineon_BSC014NE2LSI_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSC014NE2LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.44 грн
10+81.87 грн
100+52.16 грн
500+41.44 грн
1000+38.84 грн
2500+38.34 грн
5000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1
BSC014NE2LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.10 грн
10+103.39 грн
100+69.83 грн
500+52.04 грн
1000+47.70 грн
2000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.