Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies

BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V.

Інші пропозиції BSC014NE2LSIATMA1 за ціною від 38.02 грн до 139.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014ne2lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014ne2lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014ne2lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014ne2lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.28 грн
137+89.38 грн
163+75.04 грн
200+68.34 грн
500+55.38 грн
1000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1 Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 13973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.43 грн
10+78.40 грн
100+58.70 грн
500+44.94 грн
1000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC014NE2LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360829.pdf MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.90 грн
10+94.76 грн
100+58.05 грн
500+47.38 грн
1000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014ne2lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014ne2lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C261A139DAE11C&compId=BSC014NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=0a69ffadf1ecef5f2deecb3baae5b5493d0cb0ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C261A139DAE11C&compId=BSC014NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=0a69ffadf1ecef5f2deecb3baae5b5493d0cb0ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.