Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc014ne2lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC014NE2LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V.

Інші пропозиції BSC014NE2LSIATMA1 за ціною від 39.3 грн до 119.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1 Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.79 грн
10000+ 39.3 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1 Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 19047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.33 грн
10+ 85.54 грн
100+ 66.57 грн
500+ 52.95 грн
1000+ 43.13 грн
2000+ 40.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC014NE2LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360829.pdf MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 8987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.17 грн
10+ 89.06 грн
100+ 63.36 грн
500+ 55.01 грн
1000+ 42.26 грн
2500+ 42.19 грн
5000+ 39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014ne2lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014NE2LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014ne2lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc014ne2lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC014NE2LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній