| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.70 грн |
| 10+ | 106.18 грн |
| 100+ | 74.71 грн |
| 500+ | 62.80 грн |
| 1000+ | 49.83 грн |
| 2500+ | 45.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V.
Інші пропозиції BSC015NE2LS5IATMA1 за ціною від 54.11 грн до 131.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC015NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| BSC015NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 12, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 1,5 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BSC015NE2LS5IATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.63 грн |
| 10+ | 80.63 грн |
| 100+ | 54.11 грн |
| BSC015NE2LS5IATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 12, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 1,5 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 12, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 1,5 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 63.19 грн |