Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC016N03LSGATMA1
BSC016N03LSGATMA1

BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies

2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC016N03LSGATMA1 за ціною від 38.45 грн до 110.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+45.31 грн
25+45.25 грн
100+43.57 грн
250+40.28 грн
500+38.62 грн
1000+38.56 грн
3000+38.51 грн
6000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+48.73 грн
251+46.85 грн
500+43.33 грн
1000+41.53 грн
3000+41.47 грн
6000+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 8554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
306+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1_28-1730849.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.06 грн
10+93.47 грн
100+66.04 грн
250+65.67 грн
500+57.18 грн
1000+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.