Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC016N03LSGATMA1
BSC016N03LSGATMA1

BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies

2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+45.64 грн
25+45.57 грн
100+43.89 грн
250+40.58 грн
500+38.90 грн
1000+38.84 грн
3000+38.79 грн
6000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC016N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC016N03LSGATMA1 за ціною від 41.71 грн до 116.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+49.08 грн
251+47.19 грн
500+43.64 грн
1000+41.83 грн
3000+41.77 грн
6000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 8554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
306+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1_28-1730849.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.07 грн
10+98.57 грн
100+69.64 грн
250+69.26 грн
500+60.31 грн
1000+51.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2005bsc016n03ls_rev2.0.pdffileiddb3a304412b407950112b42761a13c1bfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b BSC016N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.