
BSC016N04LSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 152.88 грн |
500+ | 137.59 грн |
1000+ | 127.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC016N04LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції BSC016N04LSGATMA1 за ціною від 50.24 грн до 210.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC016N04LSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
BSC016N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
BSC016N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
BSC016N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
BSC016N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
BSC016N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
BSC016N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |