Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC016N06NSATMA1
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies

BSC016N06NS_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135532b353c483c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.

Інші пропозиції BSC016N06NSATMA1 за ціною від 60.19 грн до 286.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+147.13 грн
500+132.89 грн
1000+122.21 грн
10000+104.98 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 58950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+147.13 грн
500+132.89 грн
1000+122.21 грн
10000+104.98 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+177.41 грн
107+134.07 грн
500+111.74 грн
1000+103.24 грн
2000+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC016N06NS_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135532b353c483c Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 27052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.97 грн
10+134.44 грн
50+102.71 грн
100+86.81 грн
500+70.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC016N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 48571 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+220.98 грн
10+107.65 грн
100+83.37 грн
500+67.94 грн
1000+64.80 грн
2500+62.31 грн
5000+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.80 грн
10+164.65 грн
100+127.99 грн
500+104.41 грн
1000+92.91 грн
2000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.80 грн
87+164.65 грн
112+127.99 грн
500+104.41 грн
1000+92.91 грн
2000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.23 грн
10+177.81 грн
100+134.39 грн
500+108.00 грн
1000+95.81 грн
2000+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 INFINEON BSC016N06NS_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135532b353c483c Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 19559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 INFINEON INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 22219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+100.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+147.13 грн
500+132.89 грн
1000+122.21 грн
10000+104.98 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 58950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+147.13 грн
500+132.89 грн
1000+122.21 грн
10000+104.98 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+177.41 грн
107+134.07 грн
500+111.74 грн
1000+103.24 грн
2000+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NS_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135532b353c483c
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 27052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.97 грн
10+134.44 грн
50+102.71 грн
100+86.81 грн
500+70.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 Infineon_BSC016N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 48571 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.98 грн
10+107.65 грн
100+83.37 грн
500+67.94 грн
1000+64.80 грн
2500+62.31 грн
5000+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+247.80 грн
10+164.65 грн
100+127.99 грн
500+104.41 грн
1000+92.91 грн
2000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+247.80 грн
87+164.65 грн
112+127.99 грн
500+104.41 грн
1000+92.91 грн
2000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+286.23 грн
10+177.81 грн
100+134.39 грн
500+108.00 грн
1000+95.81 грн
2000+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NS_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135532b353c483c
BSC016N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 19559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC016N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 22219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.