Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC016N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3719792-3
Price: 352400.00 UAH
Availability: InStock

BSC016N06NS_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135532b353c483c

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	70.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC016N06NSATMA1 за ціною від 57.14 грн до 173.76 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	73.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	79.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	81.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	87.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 64000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
242+	128.20 грн
500+	115.80 грн
1000+	106.49 грн
10000+	91.48 грн

Мінімальне замовлення: 242

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 35403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
242+	128.20 грн
500+	115.80 грн
1000+	106.49 грн
10000+	91.48 грн

Мінімальне замовлення: 242

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 16418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	150.80 грн
10+	134.57 грн
100+	95.12 грн
500+	72.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	152.04 грн
250+	118.16 грн
1000+	80.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
78+	160.46 грн
95+	130.68 грн
100+	127.38 грн
200+	90.92 грн
500+	82.71 грн
1000+	61.68 грн
2000+	57.14 грн

Мінімальне замовлення: 78

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSC016N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf

MOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS

на замовлення 10286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	170.78 грн
10+	136.27 грн
100+	88.29 грн
500+	74.58 грн
1000+	73.96 грн
5000+	63.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	173.76 грн
50+	146.83 грн
250+	112.08 грн
1000+	87.13 грн
3000+	79.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC016N06NSATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C26917EEFD011C&compId=BSC016N06NS-DTE.pdf?ci_sign=f270d603e1689ebd89b70b26697c16daf5a93586

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.