Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC016N06NSATMA1
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies

BSC016N06NS_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135532b353c483c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+68.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC016N06NSATMA1 за ціною від 63.54 грн до 169.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+126.38 грн
500+114.15 грн
1000+104.98 грн
10000+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+126.38 грн
500+114.15 грн
1000+104.98 грн
10000+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC016N06NS_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135532b353c483c Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 16418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.93 грн
10+131.11 грн
100+92.67 грн
500+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+148.14 грн
250+115.13 грн
1000+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC016N06NS_DataSheet_v02_05_EN-3360893.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 9973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.35 грн
10+132.77 грн
100+86.78 грн
500+72.67 грн
1000+68.82 грн
2500+67.46 грн
5000+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.30 грн
50+148.14 грн
250+115.13 грн
1000+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C26917EEFD011C&compId=BSC016N06NS-DTE.pdf?ci_sign=f270d603e1689ebd89b70b26697c16daf5a93586 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C26917EEFD011C&compId=BSC016N06NS-DTE.pdf?ci_sign=f270d603e1689ebd89b70b26697c16daf5a93586 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.