Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC016N06NSATMA1
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies

BSC016N06NS_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135532b353c483c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+58.97 грн
10000+55.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.

Інші пропозиції BSC016N06NSATMA1 за ціною від 64.23 грн до 283.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+106.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+131.71 грн
1000+121.13 грн
10000+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 58950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+131.71 грн
1000+121.13 грн
10000+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.84 грн
107+132.89 грн
500+110.75 грн
1000+102.32 грн
2000+88.94 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC016N06NS_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135532b353c483c Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 20935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.87 грн
10+129.82 грн
100+89.37 грн
500+67.64 грн
1000+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.61 грн
10+163.19 грн
100+126.86 грн
500+103.48 грн
1000+92.09 грн
2000+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.61 грн
87+163.19 грн
112+126.86 грн
500+103.48 грн
1000+92.09 грн
2000+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.70 грн
10+176.24 грн
100+133.20 грн
500+107.04 грн
1000+94.96 грн
2000+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC016N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 28894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 INFINEON INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 22439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 INFINEON INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 22439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+98.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+98.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+106.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+145.82 грн
500+131.71 грн
1000+121.13 грн
10000+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 58950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+145.82 грн
500+131.71 грн
1000+121.13 грн
10000+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+175.84 грн
107+132.89 грн
500+110.75 грн
1000+102.32 грн
2000+88.94 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NS_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc160135532b353c483c
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 20935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.87 грн
10+129.82 грн
100+89.37 грн
500+67.64 грн
1000+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+245.61 грн
10+163.19 грн
100+126.86 грн
500+103.48 грн
1000+92.09 грн
2000+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+245.61 грн
87+163.19 грн
112+126.86 грн
500+103.48 грн
1000+92.09 грн
2000+83.36 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+283.70 грн
10+176.24 грн
100+133.20 грн
500+107.04 грн
1000+94.96 грн
2000+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 infineon-bsc016n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 Infineon_BSC016N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 28894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC016N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 22439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC016N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 22439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.