BSC016N06NSSCATMA1

BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC016N06NSSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174c1fd04fb336c Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 3180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.83 грн
10+178.20 грн
100+125.33 грн
500+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R.

Інші пропозиції BSC016N06NSSCATMA1 за ціною від 94.84 грн до 303.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC016N06NSSCATMA1 BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nssc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+289.77 грн
62+199.45 грн
100+143.71 грн
500+124.49 грн
4000+94.84 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1 BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nssc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.80 грн
10+199.35 грн
100+140.22 грн
500+121.66 грн
4000+102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1 BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nssc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nssc-datasheet-v02_00-en.pdf SP005346690
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1 BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nssc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1 BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nssc-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1 BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC016N06NSSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174c1fd04fb336c Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1 BSC016N06NSSCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC016N06NSSC_DataSheet_v02_00_EN-3360647.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.