BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 57+ | 219.79 грн |
| 73+ | 171.29 грн |
| 100+ | 134.39 грн |
| 500+ | 119.20 грн |
| 4000+ | 97.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R.
Інші пропозиції BSC016N06NSSCATMA1 за ціною від 104.14 грн до 289.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 7945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005346690 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |


