
BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 261.83 грн |
10+ | 180.31 грн |
100+ | 129.75 грн |
500+ | 103.03 грн |
1000+ | 88.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R.
Інші пропозиції BSC016N06NSSCATMA1 за ціною від 90.71 грн до 286.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V |
на замовлення 3480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BSC016N06NSSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |