BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 120.80 грн |
| 4000+ | 120.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції BSC016N06NSSCATMA1 за ціною від 103.14 грн до 300.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC016N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 7813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC016N06NSSCATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSC016N06NSSCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 152.69 грн |
| 10+ | 143.10 грн |
| 100+ | 132.75 грн |
| 500+ | 121.29 грн |
| 1000+ | 109.62 грн |
| 2000+ | 103.54 грн |
| 4000+ | 103.14 грн |
| BSC016N06NSSCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.64 грн |
| 10+ | 190.62 грн |
| 50+ | 147.97 грн |
| 100+ | 125.98 грн |