Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e
Код товару: 170205
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC016N06NSTATMA1 за ціною від 81.76 грн до 359.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+131.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+133.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 INFINEON INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.00 грн
250+165.28 грн
1000+129.81 грн
3000+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC016N06NST-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 10176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.82 грн
10+176.70 грн
100+107.84 грн
500+96.56 грн
1000+95.15 грн
2500+94.45 грн
5000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.11 грн
10+176.15 грн
100+123.57 грн
500+96.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 INFINEON INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+359.34 грн
50+236.00 грн
250+165.28 грн
1000+129.81 грн
3000+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
Gate-source voltage: 20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+151.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf
BSC016N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+131.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf
BSC016N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+133.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf
BSC016N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf
BSC016N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC016N06NSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+236.00 грн
250+165.28 грн
1000+129.81 грн
3000+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 Infineon-BSC016N06NST-DataSheet-v02_02-EN.pdf
BSC016N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 10176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+273.82 грн
10+176.70 грн
100+107.84 грн
500+96.56 грн
1000+95.15 грн
2500+94.45 грн
5000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e
BSC016N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+279.11 грн
10+176.15 грн
100+123.57 грн
500+96.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC016N06NSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+359.34 грн
50+236.00 грн
250+165.28 грн
1000+129.81 грн
3000+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
Gate-source voltage: 20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+151.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.