BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 120.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC016N06NSTATMA1 за ціною від 86.51 грн до 347.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC016N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 6770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC016N06NSTATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC016N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 13546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC016N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V |
на замовлення 4433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSTATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC016N06NSTATMA1 Код товару: 170205
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC016N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSC016N06NSTATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |