BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+95.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC016N06NSTATMA1 за ціною від 93.94 грн до 322.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+98.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+105.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+201.24 грн
68+179.33 грн
100+142.00 грн
500+119.72 грн
1000+110.12 грн
2000+98.07 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+213.23 грн
250+150.66 грн
1000+106.26 грн
3000+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC016N06NST_DataSheet_v02_02_EN-3360602.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 28508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.58 грн
10+185.68 грн
100+126.23 грн
500+100.55 грн
1000+93.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 12867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.72 грн
10+171.93 грн
100+121.20 грн
500+99.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+322.73 грн
50+213.23 грн
250+150.66 грн
1000+106.26 грн
3000+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+137.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1
Код товару: 170205
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc016n06nst-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.