Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC018N04LSGATMA1
BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC018N04LSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a30431689f4420116c42d085d0808
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC018N04LSGATMA1 за ціною від 35.24 грн до 173.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+51.05 грн
280+50.54 грн
304+46.57 грн
308+44.32 грн
500+38.34 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.17 грн
15+51.05 грн
25+50.54 грн
100+44.91 грн
250+41.03 грн
500+36.81 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.74 грн
512+69.07 грн
1000+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC018N04LSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a30431689f4420116c42d085d0808 Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 15029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.87 грн
10+78.04 грн
100+52.54 грн
500+39.04 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 INFINEON INFNS29935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.50 грн
10+83.05 грн
100+61.34 грн
500+47.95 грн
1000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf
BSC018N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
278+51.05 грн
280+50.54 грн
304+46.57 грн
308+44.32 грн
500+38.34 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf
BSC018N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+55.17 грн
15+51.05 грн
25+50.54 грн
100+44.91 грн
250+41.03 грн
500+36.81 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf
BSC018N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
461+76.74 грн
512+69.07 грн
1000+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a30431689f4420116c42d085d0808
BSC018N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 15029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+126.87 грн
10+78.04 грн
100+52.54 грн
500+39.04 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 INFNS29935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC018N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+173.50 грн
10+83.05 грн
100+61.34 грн
500+47.95 грн
1000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.