Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC019N04LSATMA1
BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V.

Інші пропозиції BSC019N04LSATMA1 за ціною від 42.87 грн до 169.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4 Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+54.97 грн
10000+ 51.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002262995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+72.42 грн
500+ 60.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+72.86 грн
10+ 67.76 грн
25+ 67.35 грн
100+ 59.22 грн
250+ 54.28 грн
500+ 49.11 грн
1000+ 44.47 грн
3000+ 43.69 грн
6000+ 42.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+77.69 грн
162+ 72.4 грн
164+ 71.67 грн
178+ 63.45 грн
250+ 58.16 грн
500+ 52.88 грн
1000+ 48.3 грн
3000+ 47.05 грн
6000+ 46.16 грн
Мінімальне замовлення: 151
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC019N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360663.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 9555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.59 грн
10+ 88.29 грн
100+ 65.23 грн
500+ 57.21 грн
1000+ 51.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002262995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+107.85 грн
10+ 89.12 грн
100+ 72.42 грн
500+ 60.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4 Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 25843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.38 грн
10+ 101.32 грн
100+ 80.64 грн
500+ 64.03 грн
1000+ 54.33 грн
2000+ 51.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+169.08 грн
75+ 156.15 грн
100+ 130.3 грн
200+ 119.89 грн
500+ 101.24 грн
1000+ 80.82 грн
2000+ 78.34 грн
5000+ 73.82 грн
Мінімальне замовлення: 70
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC019N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC019N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній