Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC019N04LSATMA1
BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC019N04LSATMA1 за ціною від 32.59 грн до 137.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4 Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 7712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 7712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.53 грн
11+55.19 грн
25+54.79 грн
100+47.42 грн
250+43.74 грн
500+37.68 грн
1000+37.41 грн
3000+37.14 грн
6000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4 Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 7534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.29 грн
10+51.02 грн
100+42.98 грн
500+36.02 грн
1000+34.91 грн
2000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+69.58 грн
176+69.28 грн
200+65.63 грн
500+60.59 грн
1000+58.08 грн
2000+57.82 грн
5000+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002262995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.94 грн
500+55.86 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC019N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360663.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.52 грн
10+85.12 грн
100+57.25 грн
250+56.75 грн
500+47.89 грн
1000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002262995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.57 грн
10+105.01 грн
100+72.94 грн
500+55.86 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc019n04ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4 BSC019N04LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.