Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC019N04LSTATMA1
BSC019N04LSTATMA1

BSC019N04LSTATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC019N04LST-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201698038e9d0330c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.03 грн
10+73.82 грн
25+67.06 грн
100+55.93 грн
250+52.58 грн
500+50.57 грн
1000+48.11 грн
2500+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC019N04LSTATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V.

Інші пропозиції BSC019N04LSTATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC019N04LST-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201698038e9d0330c Description: MOSFET N-CH 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC019N04LST-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1 Infineon-BSC019N04LST-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201698038e9d0330c
BSC019N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1 Infineon-BSC019N04LST-DataSheet-v02_03-EN.pdf
BSC019N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.