Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC019N06NSATMA1
BSC019N06NSATMA1

BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+54.70 грн
10000+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm.

Інші пропозиції BSC019N06NSATMA1 за ціною від 54.36 грн до 256.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+83.20 грн
10000+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+83.59 грн
10000+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 16587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.61 грн
10+79.01 грн
25+71.75 грн
100+59.88 грн
250+56.33 грн
500+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.20 грн
120+117.74 грн
122+116.01 грн
143+94.75 грн
250+86.67 грн
500+79.82 грн
1000+76.37 грн
2500+73.64 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC019N06NS_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 INFINEON 2718679.pdf Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 BSC019N06NSATMA1 INFINEON 2718679.pdf Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 136W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: N
Technology: MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+65.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC014N06NS-Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL Очікується: 4 О
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+256.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf
BSC019N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf
BSC019N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+81.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf
BSC019N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+83.20 грн
10000+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf
BSC019N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+83.59 грн
10000+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7
BSC019N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 16587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.61 грн
10+79.01 грн
25+71.75 грн
100+59.88 грн
250+56.33 грн
500+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 infineonbsc019n06nsdatasheetv0203en.pdf
BSC019N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+167.20 грн
120+117.74 грн
122+116.01 грн
143+94.75 грн
250+86.67 грн
500+79.82 грн
1000+76.37 грн
2500+73.64 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 Infineon_BSC019N06NS_DataSheet_v02_03_EN.pdf
BSC019N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 2718679.pdf
BSC019N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 2718679.pdf
BSC019N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 Infineon-BSC019N06NS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546789c12ca7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 136W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: N
Technology: MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+65.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1 BSC014N06NS-Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL Очікується: 4 О
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+256.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.