Технічний опис BSC019N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V.
Інші пропозиції BSC019N06NSATMA1 за ціною від 51.17 грн до 256.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC019N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC019N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC019N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC019N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 4055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC019N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSC019N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 136W; PG-TDSON-8 FL Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 136W Case: PG-TDSON-8 FL Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Polarisation: N Technology: MOSFET |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSC019N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL Очікується: 4 О кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| BSC019N06NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 82.14 грн |
| BSC019N06NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 83.76 грн |
| 10000+ | 82.92 грн |
| BSC019N06NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 84.15 грн |
| 10000+ | 83.31 грн |
| BSC019N06NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.15 грн |
| 10+ | 90.78 грн |
| 100+ | 66.04 грн |
| 500+ | 59.77 грн |
| 1000+ | 54.91 грн |
| 2500+ | 51.17 грн |
| BSC019N06NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 85+ | 168.33 грн |
| 120+ | 118.53 грн |
| 122+ | 116.79 грн |
| 143+ | 95.39 грн |
| 250+ | 87.25 грн |
| 500+ | 80.36 грн |
| 1000+ | 76.88 грн |
| 2500+ | 74.14 грн |
| BSC019N06NSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 136W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: N
Technology: MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 136W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: N
Technology: MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 67.61 грн |
| BSC019N06NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL Очікується: 4 О
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL Очікується: 4 О
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 256.02 грн |