Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC020N03LSGATMA1
BSC020N03LSGATMA1

BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC020N03LSGATMA1 за ціною від 26.43 грн до 136.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 13783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.25 грн
10+64.44 грн
100+42.94 грн
500+31.64 грн
1000+28.85 грн
2000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 INFINEON INFNS16140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.72 грн
12+71.79 грн
100+47.61 грн
500+32.07 грн
1000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC020N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.50 грн
10+85.92 грн
100+49.34 грн
500+36.09 грн
1000+31.86 грн
2500+28.12 грн
5000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f
BSC020N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 13783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.25 грн
10+64.44 грн
100+42.94 грн
500+31.64 грн
1000+28.85 грн
2000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1 INFNS16140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC020N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+107.72 грн
12+71.79 грн
100+47.61 грн
500+32.07 грн
1000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1 Infineon_BSC020N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN.pdf
BSC020N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+136.50 грн
10+85.92 грн
100+49.34 грн
500+36.09 грн
1000+31.86 грн
2500+28.12 грн
5000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.