Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC021N08NS5ATMA1
BSC021N08NS5ATMA1

BSC021N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC021N08NS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb2946643e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.54 грн
10+ 209.39 грн
100+ 169.44 грн
500+ 141.34 грн
1000+ 121.03 грн
2000+ 113.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC021N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET TRENCH 80V TSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V, FET Feature: Standard, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V.

Інші пропозиції BSC021N08NS5ATMA1 за ціною від 119.5 грн до 284.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC021N08NS5_DataSheet_v02_01_EN-3360552.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+284.29 грн
10+ 236.47 грн
25+ 202.95 грн
100+ 166.24 грн
250+ 165.57 грн
500+ 147.54 грн
1000+ 119.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc021n08ns5-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC021N08NS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb2946643e Description: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
товар відсутній