Продукція > INFINEON > BSC021N08NS5ATMA1
BSC021N08NS5ATMA1

BSC021N08NS5ATMA1 INFINEON

Infineon-BSC021N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb2946643e
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+259.85 грн
500+213.80 грн
1000+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC021N08NS5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC021N08NS5ATMA1 за ціною від 133.82 грн до 543.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC021N08NS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb2946643e Description: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.82 грн
10+212.88 грн
100+151.43 грн
500+133.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC021N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb2946643e Description: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.54 грн
10+363.46 грн
100+259.85 грн
500+213.80 грн
1000+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1 Infineon-BSC021N08NS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb2946643e
BSC021N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+333.82 грн
10+212.88 грн
100+151.43 грн
500+133.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1 Infineon-BSC021N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb2946643e
BSC021N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+543.54 грн
10+363.46 грн
100+259.85 грн
500+213.80 грн
1000+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.