Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC022N04LS6ATMA1
BSC022N04LS6ATMA1

BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC022N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd1094dc481b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC022N04LS6ATMA1 за ціною від 32.28 грн до 210.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC022N04LS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 14195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.52 грн
10+81.87 грн
100+49.90 грн
500+40.60 грн
1000+37.71 грн
2500+37.29 грн
5000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC022N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd1094dc481b Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.83 грн
10+80.63 грн
100+54.41 грн
500+40.52 грн
1000+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 INFINEON 2792915.pdf Description: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.86 грн
250+90.45 грн
1000+58.49 грн
3000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 Infineon TBSC022n04ls6_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6 TBSC022n04ls6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+161.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 INFINEON 2792915.pdf Description: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.51 грн
50+134.86 грн
250+90.45 грн
1000+58.49 грн
3000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 Infineon-BSC022N04LS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf
BSC022N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 14195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+122.52 грн
10+81.87 грн
100+49.90 грн
500+40.60 грн
1000+37.71 грн
2500+37.29 грн
5000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 Infineon-BSC022N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd1094dc481b
BSC022N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+130.83 грн
10+80.63 грн
100+54.41 грн
500+40.52 грн
1000+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 2792915.pdf
BSC022N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+134.86 грн
250+90.45 грн
1000+58.49 грн
3000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 TBSC022n04ls6_0001.pdf
BSC022N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6 TBSC022n04ls6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+161.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 2792915.pdf
BSC022N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+210.51 грн
50+134.86 грн
250+90.45 грн
1000+58.49 грн
3000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.