Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC022N04LSATMA1
BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC022N04LSATMA1 за ціною від 33.20 грн до 146.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
262+46.30 грн
265+45.72 грн
280+43.40 грн
297+39.35 грн
500+36.22 грн
1000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+49.61 грн
25+48.99 грн
100+44.84 грн
250+39.03 грн
500+37.25 грн
1000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+64.12 грн
212+57.33 грн
233+52.17 грн
500+48.75 грн
1000+42.18 грн
2000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
395+76.71 грн
500+69.04 грн
1000+63.67 грн
10000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 395
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
395+76.71 грн
500+69.04 грн
1000+63.67 грн
10000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 395
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
395+76.71 грн
500+69.04 грн
1000+63.67 грн
10000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 395
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.82 грн
250+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.45 грн
50+84.82 грн
250+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1
Код товару: 131683
Додати до обраних Обраний товар

BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC022N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360624.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.56 грн
10+91.30 грн
25+78.64 грн
100+59.58 грн
250+58.22 грн
500+48.70 грн
1000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.41 грн
10+90.11 грн
100+61.03 грн
500+45.58 грн
1000+41.82 грн
2000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C27F07B750811C&compId=BSC022N04LS-dte.pdf?ci_sign=125ecfb34873602b4a13f421a132720c70763d0b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C27F07B750811C&compId=BSC022N04LS-dte.pdf?ci_sign=125ecfb34873602b4a13f421a132720c70763d0b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.