Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9
Код товару: 131683
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC022N04LSATMA1 за ціною від 37.48 грн до 141.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC022N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360624.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.70 грн
10+85.11 грн
25+73.30 грн
100+55.54 грн
250+54.27 грн
500+45.39 грн
1000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.93 грн
10+87.35 грн
100+59.16 грн
500+44.18 грн
1000+40.54 грн
2000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 Infineon_BSC022N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360624.pdf
BSC022N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.70 грн
10+85.11 грн
25+73.30 грн
100+55.54 грн
250+54.27 грн
500+45.39 грн
1000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9
BSC022N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.93 грн
10+87.35 грн
100+59.16 грн
500+44.18 грн
1000+40.54 грн
2000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.