Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9
Код товару: 131683
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC022N04LSATMA1 за ціною від 38.76 грн до 89.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.07 грн
25+53.39 грн
100+48.86 грн
250+42.54 грн
500+40.60 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+54.07 грн
265+53.39 грн
280+50.67 грн
297+45.94 грн
500+42.29 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+74.87 грн
212+66.95 грн
233+60.91 грн
500+56.92 грн
1000+49.25 грн
2000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.58 грн
500+80.62 грн
1000+74.35 грн
10000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.58 грн
500+80.62 грн
1000+74.35 грн
10000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.58 грн
500+80.62 грн
1000+74.35 грн
10000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC022N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC022N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC022N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+54.07 грн
25+53.39 грн
100+48.86 грн
250+42.54 грн
500+40.60 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC022N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
262+54.07 грн
265+53.39 грн
280+50.67 грн
297+45.94 грн
500+42.29 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC022N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+74.87 грн
212+66.95 грн
233+60.91 грн
500+56.92 грн
1000+49.25 грн
2000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC022N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+89.58 грн
500+80.62 грн
1000+74.35 грн
10000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC022N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+89.58 грн
500+80.62 грн
1000+74.35 грн
10000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC022N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+89.58 грн
500+80.62 грн
1000+74.35 грн
10000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC022N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1 INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC022N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.