BSC024N025SG
Виробник:
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC024N025SG
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/100A TDSON, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Інші пропозиції BSC024N025SG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
BSC024N025S G | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/100A TDSONMounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
товару немає в наявності |



