Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BSC 100AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0039" (0.100mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2478.22 грн
4+2266.96 грн
8+2147.48 грн
24+1903.94 грн
100+1567.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC 100 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2933.71 грн
4+2683.56 грн
8+2542.86 грн
24+2253.60 грн
100+1855.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC 100 1TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4300.16 грн
4+3934.16 грн
8+3727.43 грн
24+3303.31 грн
100+2720.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC 100 1TT50 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4756.46 грн
4+4350.77 грн
8+4122.03 грн
24+3653.70 грн
100+3008.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC 100 2GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3389.19 грн
4+3100.95 грн
8+2937.46 грн
24+2603.25 грн
100+2144.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC 100 2TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - Both Sides
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6122.91 грн
4+5601.37 грн
8+5306.60 грн
24+4703.41 грн
100+3873.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC 100 HTGAISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 249MM X 239MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC-SS-148L
Код товару: 89390
Додати до обраних Обраний товар

Реле
товару немає в наявності
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC/0/100TRENDDescription: TREND - BSC/0/100 - BISCUIT NO 0, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1061.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC/10/100TRENDDescription: TREND - BSC/10/100 - BISCUIT NO 10 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1051.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC/20/100TRENDDescription: TREND - BSC/20/100 - BISCUIT NO 20, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1117.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC/MIX/100TRENDDescription: TREND - BSC/MIX/100 - BISCUIT MIXED 0/10/20 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1194.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.96 грн
500+64.69 грн
1000+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.23 грн
10+134.60 грн
100+93.96 грн
500+64.69 грн
1000+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.83 грн
10+127.34 грн
100+87.49 грн
500+66.11 грн
1000+59.51 грн
2000+56.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 40574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.12 грн
10+134.51 грн
100+84.52 грн
500+69.57 грн
1000+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesSP004819078
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.97 грн
500+80.96 грн
1000+69.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 14549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.88 грн
10+131.04 грн
100+89.04 грн
500+73.35 грн
1000+68.59 грн
2500+66.25 грн
5000+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.08 грн
10+135.44 грн
100+104.97 грн
500+80.96 грн
1000+69.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.34 грн
10+115.63 грн
100+90.04 грн
500+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.58 грн
10+124.04 грн
100+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00051 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 510µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.73 грн
500+75.70 грн
1000+62.55 грн
5000+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesSP004819084
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00051 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.24 грн
10+142.21 грн
100+100.73 грн
500+75.70 грн
1000+62.55 грн
5000+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 12314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.28 грн
10+131.04 грн
100+83.01 грн
500+72.67 грн
1000+63.69 грн
2500+60.52 грн
5000+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+213.32 грн
50+178.61 грн
250+144.75 грн
1000+120.27 грн
3000+108.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1
Код товару: 161378
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 6154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.22 грн
10+110.68 грн
100+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 82455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.10 грн
10+118.02 грн
25+101.12 грн
100+97.34 грн
1000+94.33 грн
5000+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.61 грн
250+144.75 грн
1000+120.27 грн
3000+108.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.26 грн
10+213.48 грн
100+131.30 грн
500+129.04 грн
1000+119.98 грн
2000+119.23 грн
4000+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.90 грн
10+214.17 грн
100+163.38 грн
500+134.41 грн
1000+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.45 грн
10+180.24 грн
100+131.07 грн
500+107.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.38 грн
500+134.41 грн
1000+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1 транзистор
Код товару: 208581
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+106.65 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.80 грн
10+173.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.82 грн
10+155.56 грн
100+108.32 грн
500+82.69 грн
1000+76.60 грн
2000+73.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.36 грн
10+191.78 грн
25+158.47 грн
100+122.25 грн
250+117.72 грн
500+100.36 грн
1000+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.44 грн
10+126.58 грн
25+124.75 грн
50+119.03 грн
100+104.13 грн
250+98.54 грн
500+98.32 грн
1000+98.17 грн
3000+97.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS
Код товару: 160463
Додати до обраних Обраний товар

Мікросхеми > Операційні підсилювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSInfineon
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.29 грн
10+101.53 грн
25+87.53 грн
100+79.23 грн
250+74.55 грн
500+65.12 грн
1000+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.65 грн
500+59.19 грн
1000+49.77 грн
5000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.38 грн
10+114.28 грн
100+84.65 грн
500+59.19 грн
1000+49.77 грн
5000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.93 грн
10+99.67 грн
100+72.62 грн
500+54.58 грн
1000+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+340.98 грн
74+166.33 грн
81+151.78 грн
100+118.29 грн
200+103.03 грн
500+98.02 грн
1000+87.77 грн
2000+81.89 грн
5000+79.57 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1
Код товару: 173879
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується 6 шт:
6 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 12446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.80 грн
10+123.23 грн
100+73.88 грн
500+58.78 грн
1000+55.77 грн
5000+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IInfineon TechnologiesMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+186.42 грн
69+179.31 грн
100+173.23 грн
250+161.98 грн
500+145.90 грн
1000+136.64 грн
2500+133.63 грн
5000+130.96 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC009NE2LS5IATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+116.66 грн
131+93.73 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+89.57 грн
10+75.03 грн
25+74.28 грн
100+70.91 грн
250+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.99 грн
250+110.89 грн
1000+71.77 грн
3000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+109.26 грн
113+108.44 грн
156+78.68 грн
200+72.02 грн
500+58.09 грн
1000+49.97 грн
2000+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1
Код товару: 195332
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.40 грн
10+134.51 грн
100+91.31 грн
250+79.99 грн
500+78.48 грн
5000+65.80 грн
10000+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+83.60 грн
175+70.03 грн
177+69.33 грн
179+66.19 грн
250+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.53 грн
50+113.43 грн
250+93.96 грн
1000+70.90 грн
3000+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.38 грн
10+104.70 грн
100+80.61 грн
500+62.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.86 грн
10+98.06 грн
25+81.50 грн
100+63.54 грн
250+63.46 грн
500+49.65 грн
1000+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 48686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.87 грн
10+106.98 грн
100+72.81 грн
500+54.59 грн
1000+50.18 грн
2000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.34 грн
500+53.77 грн
1000+43.61 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC009NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.27 грн
10+99.04 грн
100+75.34 грн
500+53.77 грн
1000+43.61 грн
5000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+148.08 грн
86+142.44 грн
100+137.60 грн
250+128.67 грн
500+115.89 грн
1000+108.54 грн
2500+106.14 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSInfineon technologies
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 31233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.42 грн
10+104.14 грн
100+71.99 грн
250+65.88 грн
500+62.71 грн
5000+53.28 грн
10000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1
Код товару: 192753
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 890 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.54 грн
50+128.67 грн
250+105.81 грн
1000+70.51 грн
3000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 9468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.36 грн
10+105.72 грн
100+81.27 грн
500+60.80 грн
1000+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 890 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.67 грн
250+105.81 грн
1000+70.51 грн
3000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+121.49 грн
105+116.60 грн
130+94.58 грн
500+71.71 грн
1000+56.20 грн
2000+53.81 грн
5000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC010N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 13702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.26 грн
10+151.00 грн
100+94.33 грн
250+93.57 грн
500+76.97 грн
1000+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+95.40 грн
149+82.35 грн
169+72.49 грн
500+54.64 грн
1000+50.16 грн
2000+48.01 грн
5000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.99 грн
50+111.74 грн
250+81.52 грн
1000+58.87 грн
3000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC010N04LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 71650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.18 грн
10+105.87 грн
100+69.95 грн
250+68.59 грн
500+55.77 грн
1000+51.31 грн
5000+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 24938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+92.99 грн
100+70.40 грн
500+52.88 грн
1000+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.74 грн
250+81.52 грн
1000+58.87 грн
3000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 16254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.67 грн
10+122.36 грн
100+85.27 грн
500+70.63 грн
1000+60.90 грн
2500+57.95 грн
5000+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+248.35 грн
52+238.89 грн
100+230.79 грн
250+215.79 грн
500+194.38 грн
1000+182.03 грн
2500+178.02 грн
5000+174.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC010N04LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.50 грн
500+73.97 грн
1000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+85.01 грн
145+81.49 грн
250+75.23 грн
500+72.01 грн
1000+71.80 грн
3000+71.58 грн
6000+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.08 грн
10+87.65 грн
1000+74.03 грн
2500+73.35 грн
5000+72.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.12 грн
10+90.58 грн
100+85.50 грн
500+73.97 грн
1000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+101.92 грн
121+101.10 грн
500+96.71 грн
2000+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
на замовлення 7498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.54 грн
10+147.78 грн
100+110.85 грн
500+83.36 грн
1000+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+91.35 грн
10+91.08 грн
25+90.82 грн
100+87.31 грн
250+80.61 грн
500+77.16 грн
1000+76.92 грн
3000+76.69 грн
6000+76.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+91.97 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+134.53 грн
500+128.42 грн
1000+121.28 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.80 грн
10+176.07 грн
100+137.98 грн
500+91.97 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+166.33 грн
83+147.58 грн
105+116.60 грн
500+110.07 грн
1000+99.01 грн
2000+92.95 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 5109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.19 грн
10+176.16 грн
100+119.98 грн
500+98.10 грн
1000+92.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 8923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.78 грн
10+93.72 грн
100+56.07 грн
500+47.54 грн
1000+40.45 грн
5000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 32508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.36 грн
10+68.56 грн
25+53.88 грн
100+45.35 грн
250+45.20 грн
500+44.82 грн
1000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1InfineonN-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.71 грн
10+64.06 грн
100+46.31 грн
500+42.74 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.58 грн
500+50.46 грн
1000+44.62 грн
5000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC010NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.67 грн
10+88.88 грн
100+69.58 грн
500+50.46 грн
1000+44.62 грн
5000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.95 грн
10+111.95 грн
100+67.46 грн
500+56.82 грн
1000+48.37 грн
5000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIInfineon
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.22 грн
10+126.13 грн
100+99.04 грн
500+68.15 грн
1000+54.13 грн
5000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.55 грн
10+120.62 грн
100+77.72 грн
500+63.84 грн
1000+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC010NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 11260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.99 грн
10+89.92 грн
100+67.40 грн
500+49.99 грн
1000+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.04 грн
500+68.15 грн
1000+54.13 грн
5000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSInfineon technologies
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 34024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.35 грн
10+100.66 грн
100+60.67 грн
500+51.39 грн
1000+42.94 грн
2500+39.62 грн
5000+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+114.29 грн
113+109.18 грн
250+104.80 грн
500+97.41 грн
1000+87.25 грн
2500+81.29 грн
5000+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LS E8186Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 21984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.41 грн
10+79.66 грн
25+67.84 грн
100+52.90 грн
250+52.52 грн
500+46.11 грн
1000+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.46 грн
10000+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.20 грн
11+77.37 грн
100+74.07 грн
500+65.63 грн
1000+57.76 грн
5000+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.27 грн
10000+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+64.16 грн
192+63.80 грн
215+57.00 грн
250+54.62 грн
500+47.41 грн
1000+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.66 грн
11+68.74 грн
25+68.36 грн
100+58.89 грн
250+54.19 грн
500+48.76 грн
1000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1475000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 31485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+77.50 грн
100+58.29 грн
500+45.33 грн
1000+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.07 грн
500+65.63 грн
1000+57.76 грн
5000+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIInfineon technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.26 грн
10+77.58 грн
100+49.73 грн
500+42.86 грн
1000+38.94 грн
2500+37.81 грн
5000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.08 грн
500+45.43 грн
1000+38.53 грн
5000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+73.90 грн
169+72.57 грн
172+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.21 грн
10+88.88 грн
100+64.08 грн
500+45.43 грн
1000+38.53 грн
5000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.54 грн
10+89.02 грн
25+86.06 грн
100+76.35 грн
250+68.34 грн
500+61.84 грн
1000+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+90.11 грн
148+83.09 грн
153+80.32 грн
166+71.26 грн
250+63.79 грн
500+57.72 грн
1000+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 11141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.93 грн
10+90.47 грн
100+61.19 грн
500+45.66 грн
1000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.36 грн
10+131.35 грн
100+94.88 грн
500+73.94 грн
1000+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.66 грн
500+73.73 грн
1000+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.37 грн
10+148.39 грн
100+89.80 грн
500+72.67 грн
1000+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+177.34 грн
82+149.82 грн
100+141.67 грн
200+135.63 грн
500+113.75 грн
1000+103.08 грн
2000+100.46 грн
5000+96.97 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+207.40 грн
10+153.22 грн
100+106.66 грн
500+73.73 грн
1000+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.87 грн
10+220.42 грн
25+184.88 грн
100+137.34 грн
500+113.19 грн
1000+110.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 12613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.00 грн
10+204.37 грн
100+144.18 грн
500+111.20 грн
1000+103.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.91 грн
500+108.47 грн
1000+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+114.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.21 грн
10+219.25 грн
100+154.91 грн
500+108.47 грн
1000+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+106.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS GINFINEONQFN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS G
Код товару: 203094
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSInfineon
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LS
Код товару: 148887
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSInfineon technologies
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.78 грн
10+93.72 грн
100+56.52 грн
500+47.99 грн
1000+40.75 грн
5000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.51 грн
50+89.73 грн
250+70.18 грн
1000+45.04 грн
3000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 8813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.91 грн
10+83.56 грн
100+62.33 грн
500+47.03 грн
1000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+97.84 грн
134+91.32 грн
173+70.77 грн
200+64.39 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC014N04LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+93.77 грн
138+88.87 грн
175+70.20 грн
200+64.94 грн
500+49.50 грн
1000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.94 грн
10+98.06 грн
100+66.25 грн
500+55.24 грн
1000+45.20 грн
2500+43.77 грн
5000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.73 грн
250+70.18 грн
1000+45.04 грн
3000+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 24998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+99.47 грн
131+93.77 грн
171+71.83 грн
200+65.49 грн
500+51.03 грн
1000+41.51 грн
2000+40.74 грн
5000+38.44 грн
10000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 28737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.91 грн
10+121.49 грн
100+83.76 грн
500+69.95 грн
1000+60.14 грн
2500+57.12 грн
5000+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSI
Код товару: 196252
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20; Qg, нКл = 55 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TDSON-8 FL
на замовлення 72 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+230.66 грн
56+221.87 грн
100+214.34 грн
250+200.42 грн
500+180.52 грн
1000+169.07 грн
2500+165.33 грн
5000+162.04 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.69 грн
10+125.28 грн
100+99.04 грн
500+77.11 грн
1000+61.17 грн
5000+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 42098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.64 грн
10+132.76 грн
100+94.14 грн
500+69.50 грн
1000+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 445000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+185.11 грн
10+134.12 грн
100+107.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+109.20 грн
15000+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC014N04LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+173.70 грн
98+125.84 грн
121+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+162.26 грн
94+131.27 грн
109+112.52 грн
500+106.93 грн
1000+98.28 грн
2000+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 75901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.91 грн
10+121.49 грн
100+83.76 грн
500+69.95 грн
1000+60.14 грн
2500+57.12 грн
5000+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.04 грн
500+77.11 грн
1000+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTInfineon TechnologiesDescription: BSC014N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.45 грн
10+89.73 грн
100+75.93 грн
500+58.48 грн
1000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.16 грн
12+62.96 грн
25+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.37 грн
10+79.06 грн
500+58.18 грн
1000+57.05 грн
5000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1
Код товару: 198659
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.93 грн
500+58.48 грн
1000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.05 грн
10+78.21 грн
100+66.26 грн
500+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+69.39 грн
191+64.17 грн
200+63.03 грн
500+54.49 грн
1000+50.38 грн
5000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 60V TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NS
Код товару: 144121
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSInfineon
на замовлення 365000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.88 грн
10+184.84 грн
100+126.02 грн
500+105.64 грн
1000+95.08 грн
5000+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSInfineon technologies
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+99.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.72 грн
10+182.24 грн
100+110.93 грн
500+98.10 грн
1000+94.33 грн
2500+91.31 грн
5000+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.84 грн
50+147.29 грн
250+130.36 грн
1000+115.55 грн
3000+105.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+181.42 грн
78+156.96 грн
100+149.82 грн
200+143.49 грн
500+121.94 грн
1000+111.82 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30; Qg, нКл = 89 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 156; PG-TDSON-8
на замовлення 975 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+106.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.85 грн
500+132.06 грн
1000+123.35 грн
5000+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.92 грн
10+168.45 грн
100+117.94 грн
500+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSE8230ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.19 грн
10+183.23 грн
100+130.89 грн
500+111.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 0.0012 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+334.37 грн
50+219.25 грн
250+165.07 грн
1000+122.62 грн
2000+111.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+102.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 14682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.12 грн
10+193.52 грн
100+123.76 грн
500+111.68 грн
1000+104.14 грн
2000+102.63 грн
4000+95.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 0.0012 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.01 грн
500+162.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+112.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.60 грн
500+117.91 грн
1000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+122.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.82 грн
10+196.56 грн
25+192.98 грн
100+169.49 грн
250+153.43 грн
500+136.21 грн
1000+127.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.28 грн
10+157.07 грн
100+119.23 грн
2500+116.96 грн
5000+101.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+200.50 грн
67+183.46 грн
68+180.11 грн
100+158.19 грн
250+143.20 грн
500+127.13 грн
1000+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 5753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.77 грн
10+144.63 грн
100+126.40 грн
500+118.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+133.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.24 грн
10+165.92 грн
100+145.60 грн
500+117.91 грн
1000+105.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 FL; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+161.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+210.97 грн
60+206.90 грн
100+188.55 грн
500+160.20 грн
1000+146.51 грн
2000+130.17 грн
5000+126.67 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+124.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+107.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+105.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIInfineon technologies
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 9842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.30 грн
10+96.33 грн
100+57.73 грн
500+48.90 грн
1000+40.90 грн
2500+37.81 грн
5000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC014NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.50 грн
10+97.19 грн
100+59.54 грн
500+48.60 грн
1000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 11288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.38 грн
10+80.10 грн
100+59.98 грн
500+45.92 грн
1000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+96.51 грн
137+89.59 грн
163+75.22 грн
200+68.51 грн
500+55.51 грн
1000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.35 грн
10+100.66 грн
100+60.44 грн
500+51.24 грн
1000+42.79 грн
2500+39.54 грн
5000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.67 грн
500+53.61 грн
1000+43.10 грн
5000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 12712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.30 грн
10+113.68 грн
100+79.99 грн
500+67.24 грн
1000+53.35 грн
2500+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+144.51 грн
10+129.24 грн
25+127.95 грн
100+97.88 грн
250+89.72 грн
500+73.27 грн
1000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.13 грн
10+93.12 грн
100+69.67 грн
500+53.61 грн
1000+43.10 грн
5000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 21919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.87 грн
10+66.34 грн
100+49.48 грн
500+39.48 грн
1000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.58 грн
10+111.08 грн
100+76.97 грн
250+71.61 грн
500+64.59 грн
1000+55.31 грн
2500+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LS GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGInfineon technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 8554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+73.79 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+52.54 грн
25+52.46 грн
100+50.52 грн
250+46.71 грн
500+44.78 грн
1000+44.71 грн
3000+44.65 грн
6000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.45 грн
10+97.19 грн
100+68.67 грн
250+68.29 грн
500+59.46 грн
1000+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC016N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+48.96 грн
251+47.08 грн
500+43.53 грн
1000+41.73 грн
3000+41.67 грн
6000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.78 грн
10+112.81 грн
100+71.46 грн
250+70.25 грн
500+57.12 грн
1000+48.60 грн
2500+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGInfineon
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC016N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+103.00 грн
120+101.97 грн
151+81.43 грн
250+77.72 грн
500+60.57 грн
1000+46.52 грн
3000+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.38 грн
10+110.35 грн
25+109.25 грн
100+84.13 грн
250+77.10 грн
500+62.30 грн
1000+49.85 грн
3000+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.34 грн
10+181.37 грн
100+125.26 грн
500+105.64 грн
1000+90.55 грн
2500+86.02 грн
5000+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LS GInfineon
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGInfineon technologies
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+152.88 грн
500+137.59 грн
1000+127.40 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N04LSGATMA1 BSC016N04LS G TBSC016n04ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N06NS TBSC016n06ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+125.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.90 грн
10+146.66 грн
100+93.57 грн
500+78.48 грн
1000+72.67 грн
5000+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSInfineon
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NS
Код товару: 165006
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+167.00 грн
77+160.64 грн
100+155.19 грн
250+145.11 грн
500+130.71 грн
1000+122.41 грн
2500+119.70 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 9973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.35 грн
10+132.77 грн
100+86.78 грн
500+72.67 грн
1000+68.82 грн
2500+67.46 грн
5000+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.14 грн
250+115.13 грн
1000+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+126.38 грн
500+114.15 грн
1000+104.98 грн
10000+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.30 грн
50+148.14 грн
250+115.13 грн
1000+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+126.38 грн
500+114.15 грн
1000+104.98 грн
10000+90.18 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 16418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.93 грн
10+131.11 грн
100+92.67 грн
500+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesSP005346690
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+261.00 грн
65+188.51 грн
100+140.08 грн
500+122.34 грн
4000+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.64 грн
10+201.98 грн
100+150.08 грн
500+131.08 грн
4000+102.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.25 грн
10+179.06 грн
100+125.95 грн
500+106.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+116.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 26628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.62 грн
10+177.03 грн
100+115.45 грн
500+103.38 грн
2500+101.12 грн
5000+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1
Код товару: 170205
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+90.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.08 грн
250+145.60 грн
1000+101.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+242.98 грн
70+176.93 грн
100+148.40 грн
500+128.16 грн
1000+113.42 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+108.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+256.49 грн
50+187.08 грн
250+145.60 грн
1000+101.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+179.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.93 грн
10+159.80 грн
100+120.20 грн
500+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.69 грн
10+76.11 грн
100+47.39 грн
500+38.71 грн
1000+33.58 грн
2500+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGInfineon technologies
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+72.35 грн
12+61.16 грн
25+60.55 грн
100+48.14 грн
250+44.13 грн
500+38.23 грн
1000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 18665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.87 грн
10+82.38 грн
100+55.44 грн
500+41.20 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+57.08 грн
217+56.51 грн
263+46.60 грн
266+44.49 грн
500+37.16 грн
1000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+48.85 грн
1000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.51 грн
11+79.91 грн
100+55.02 грн
500+43.63 грн
1000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSInfineonN-MOSFET 25V 29A 1.8mΩ BSC018NE2LSI, BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LS Infineon TBSC018ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.37 грн
10+59.10 грн
100+36.82 грн
500+31.09 грн
1000+28.67 грн
5000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.88 грн
500+29.24 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.54 грн
10+71.92 грн
100+48.08 грн
500+35.52 грн
1000+32.43 грн
2000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+119.36 грн
18+47.83 грн
100+34.88 грн
500+29.24 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 48286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.13 грн
10+63.00 грн
100+39.62 грн
500+33.81 грн
1000+30.56 грн
2500+29.20 грн
5000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.03 грн
500+33.49 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.20 грн
10+86.54 грн
100+67.31 грн
500+53.54 грн
1000+43.61 грн
2000+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.67 грн
15+58.16 грн
100+45.03 грн
500+33.49 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.11 грн
10+107.23 грн
25+102.70 грн
100+84.91 грн
250+73.27 грн
500+63.68 грн
1000+58.22 грн
3000+57.64 грн
6000+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1
Код товару: 109878
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 20088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.91 грн
10+138.85 грн
100+95.83 грн
250+88.29 грн
500+79.99 грн
1000+69.12 грн
2500+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KSGInfineonN-MOSFET 20V 100A BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N02KSG Infineon TBSC019n02ksg
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KSGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+116.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.76 грн
10+72.63 грн
100+49.20 грн
500+41.65 грн
1000+33.96 грн
2500+31.92 грн
5000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.25 грн
10+88.52 грн
100+59.54 грн
250+59.01 грн
500+49.80 грн
1000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+69.92 грн
176+69.62 грн
200+65.95 грн
500+60.88 грн
1000+58.36 грн
2000+58.10 грн
5000+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 7534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.02 грн
10+53.06 грн
100+44.69 грн
500+37.46 грн
1000+36.30 грн
2000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC019N04LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.85 грн
500+58.09 грн
1000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 7712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+71.34 грн
11+63.99 грн
25+63.52 грн
100+54.98 грн
250+50.72 грн
500+43.69 грн
1000+43.38 грн
3000+43.06 грн
6000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 7712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.06 грн
10+109.20 грн
100+75.85 грн
500+58.09 грн
1000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.83 грн
10+108.08 грн
25+98.44 грн
100+82.47 грн
250+77.74 грн
500+74.89 грн
1000+71.35 грн
2500+68.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.98 грн
10+87.65 грн
100+51.54 грн
500+40.75 грн
1000+37.58 грн
2500+36.52 грн
5000+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGInfineon TechnologiesDescription: BSC019N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.05 грн
10+81.51 грн
100+54.81 грн
500+40.71 грн
1000+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP BSC019N04NSGATMA1 TBSC019n04ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+125.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSInfineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.04 грн
10+204.01 грн
25+183.69 грн
100+151.71 грн
500+111.74 грн
1000+92.15 грн
5000+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.00 грн
10+123.23 грн
100+95.08 грн
250+90.55 грн
500+86.78 грн
1000+80.74 грн
2500+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30; Qg, нКл = 77 @ 10 В; Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА; Р, Вт = 136; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8 FL
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+161.14 грн
95+129.95 грн
101+121.63 грн
200+116.28 грн
500+96.53 грн
1000+86.61 грн
2000+84.30 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 16087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+97.78 грн
25+89.01 грн
100+74.51 грн
250+70.20 грн
500+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.71 грн
500+111.74 грн
1000+92.15 грн
5000+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+91.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.15 грн
10+262.42 грн
100+187.08 грн
500+143.85 грн
1000+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesSP005560379
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.07 грн
10+264.68 грн
100+164.50 грн
500+135.83 грн
1000+135.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.83 грн
10+244.77 грн
100+174.54 грн
500+135.67 грн
1000+131.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.08 грн
500+143.85 грн
1000+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC02000-0RSauroBridge for Shortcircuit for RISING CLAMP system, 2POS, red
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020C0-0RSauroBridge for Shortcircuit for RISING CLAMP system, red similar to RAL3017
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N025S GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N025SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N025SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSINF09+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.96 грн
10+64.22 грн
100+42.33 грн
500+35.84 грн
1000+29.20 грн
2500+27.54 грн
5000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LS GInfineon
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGINFINEON
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGInfineon technologies
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGINFINEON09+ SOP8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 17744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.16 грн
10+57.70 грн
100+43.75 грн
500+33.02 грн
1000+29.37 грн
2000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.32 грн
11+64.63 грн
25+63.98 грн
100+49.33 грн
250+45.22 грн
500+42.51 грн
1000+41.60 грн
3000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.58 грн
12+74.07 грн
100+55.79 грн
500+36.00 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 24300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+60.24 грн
214+57.28 грн
257+47.70 грн
267+44.33 грн
500+40.68 грн
1000+37.04 грн
5000+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.33 грн
10000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.48 грн
10+71.77 грн
25+62.33 грн
100+47.01 грн
500+35.54 грн
1000+30.56 грн
5000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.50 грн
10000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA2Infineon TechnologiesDescription: LV POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.33 грн
10+78.88 грн
100+53.80 грн
500+45.58 грн
1000+37.13 грн
2500+35.01 грн
5000+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGInfineon technologies
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.29 грн
10+69.25 грн
25+60.14 грн
100+47.54 грн
250+47.24 грн
500+42.48 грн
1000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 31315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.42 грн
10+80.49 грн
100+54.10 грн
500+40.16 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.76 грн
10+258.19 грн
100+184.54 грн
500+141.49 грн
1000+126.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.86 грн
10+239.04 грн
100+170.28 грн
500+132.26 грн
1000+127.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.00 грн
10+261.21 грн
25+225.63 грн
100+163.75 грн
250+161.49 грн
500+135.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+150.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SINF09+
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03Sinfineon06+ TDSON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SInfineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03S GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 28A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SGINFINEON07+ DIP16
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.82 грн
10+100.66 грн
100+68.14 грн
500+57.80 грн
1000+47.09 грн
2500+44.30 грн
5000+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSInfineon technologies
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+135.79 грн
94+130.61 грн
100+126.19 грн
250+117.98 грн
500+106.27 грн
1000+99.53 грн
2500+97.33 грн
5000+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+118.23 грн
137+89.69 грн
150+81.54 грн
200+63.61 грн
500+55.04 грн
1000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 5472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+81.36 грн
100+57.02 грн
500+42.46 грн
1000+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.89 грн
250+72.80 грн
1000+45.04 грн
3000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 14844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.01 грн
10+94.59 грн
100+57.43 грн
500+45.50 грн
1000+41.81 грн
2500+40.37 грн
5000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6 TBSC022n04ls6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+144.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8 FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.53 грн
50+99.89 грн
250+72.80 грн
1000+45.04 грн
3000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8 FL
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+77.46 грн
500+69.71 грн
1000+64.29 грн
10000+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 395
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+46.75 грн
265+46.17 грн
280+43.82 грн
297+39.73 грн
500+36.57 грн
1000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.11 грн
10+89.92 грн
100+60.90 грн
500+45.48 грн
1000+41.73 грн
2000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.65 грн
250+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+77.46 грн
500+69.71 грн
1000+64.29 грн
10000+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 395
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1
Код товару: 131683
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+77.46 грн
500+69.71 грн
1000+64.29 грн
10000+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 395
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+50.09 грн
25+49.46 грн
100+45.27 грн
250+39.41 грн
500+37.61 грн
1000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.20 грн
50+84.65 грн
250+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.30 грн
10+91.12 грн
25+78.48 грн
100+59.46 грн
250+58.10 грн
500+48.60 грн
1000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+64.74 грн
212+57.89 грн
233+52.67 грн
500+49.22 грн
1000+42.59 грн
2000+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC022N04LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC023N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 202 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.47 грн
10+248.87 грн
100+178.61 грн
500+138.34 грн
1000+122.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+353.91 грн
10+236.91 грн
100+149.41 грн
500+129.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 7618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.41 грн
10+213.96 грн
100+151.86 грн
500+132.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC023N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 202 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.61 грн
500+138.34 грн
1000+122.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP005561403
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+120.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/100A TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024N025SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.68 грн
10+73.50 грн
100+49.73 грн
500+42.18 грн
1000+34.41 грн
5000+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+35.85 грн
21+34.20 грн
25+34.14 грн
100+30.88 грн
250+28.53 грн
500+27.17 грн
1000+26.95 грн
3000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1
Код товару: 116188
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC024NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+38.22 грн
325+37.71 грн
1000+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
на замовлення 12371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.87 грн
10+59.90 грн
100+42.98 грн
500+34.03 грн
1000+29.07 грн
2000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 421
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.48 грн
10+65.87 грн
100+40.98 грн
500+34.03 грн
1000+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.81 грн
10+91.12 грн
100+61.88 грн
500+52.45 грн
1000+42.71 грн
2500+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
на замовлення 38848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.48 грн
10+82.30 грн
100+64.02 грн
500+50.93 грн
1000+41.49 грн
2000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.89 грн
10+91.42 грн
100+67.64 грн
500+42.37 грн
1000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+52.98 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 578
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 244-253 дні (днів)
4+112.69 грн
10+91.99 грн
100+61.95 грн
500+52.52 грн
1000+41.35 грн
2500+40.30 грн
5000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.16 грн
10000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 28329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+52.98 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 578
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.94 грн
10+82.87 грн
100+47.99 грн
500+39.31 грн
1000+34.49 грн
2500+33.43 грн
5000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+87.88 грн
209+58.75 грн
500+46.30 грн
1000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 525
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 525
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.43 грн
10+85.50 грн
100+58.32 грн
500+42.68 грн
1000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+122.06 грн
10+94.16 грн
100+62.95 грн
500+47.84 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5Infineon TechnologiesBSC025N08LS5
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+289.55 грн
45+277.11 грн
50+266.55 грн
100+248.31 грн
250+222.94 грн
500+208.20 грн
1000+203.11 грн
2500+198.63 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+128.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.64 грн
10+160.04 грн
25+151.24 грн
100+130.47 грн
250+123.61 грн
500+118.76 грн
1000+112.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+134.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+225.17 грн
50+184.54 грн
250+158.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+296.59 грн
50+245.63 грн
55+223.20 грн
100+187.71 грн
500+151.06 грн
1000+132.79 грн
2000+126.67 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+167.15 грн
500+160.01 грн
1000+150.84 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.34 грн
10+241.25 грн
25+187.14 грн
100+165.26 грн
250+153.94 грн
500+147.15 грн
1000+137.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 385000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+137.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+200.62 грн
250+170.15 грн
1000+129.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KS GInfineon
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.98 грн
10+114.55 грн
100+79.23 грн
250+59.16 грн
5000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGinfineon08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGInfineon TechnologiesDescription: BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
на замовлення 27190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 363
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+46.79 грн
16+46.06 грн
25+45.34 грн
100+43.03 грн
250+39.19 грн
500+37.01 грн
1000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
на замовлення 26892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 363
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC026N02KSGAUMA1 - BSC026N02 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+99.10 грн
130+94.66 грн
250+90.87 грн
500+84.46 грн
1000+75.65 грн
2500+70.48 грн
5000+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.85 грн
10+97.19 грн
100+65.05 грн
500+55.16 грн
1000+44.90 грн
2500+42.33 грн
5000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSInfineon technologies
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.20 грн
50+73.31 грн
250+62.13 грн
1000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 8599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.16 грн
10+40.09 грн
25+34.71 грн
100+30.03 грн
250+29.88 грн
500+28.22 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC026N04LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+54.20 грн
228+53.66 грн
247+49.68 грн
250+47.43 грн
500+40.89 грн
1000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.12 грн
10+57.77 грн
100+45.17 грн
500+38.88 грн
1000+35.53 грн
2000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.31 грн
250+62.13 грн
1000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.30 грн
13+56.50 грн
25+55.93 грн
100+48.92 грн
250+44.84 грн
500+40.91 грн
1000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5Infineon
на замовлення 14128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+246.02 грн
52+236.64 грн
100+228.62 грн
250+213.76 грн
500+192.55 грн
1000+180.33 грн
2500+176.34 грн
5000+172.83 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+115.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+90.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.78 грн
50+172.69 грн
250+153.22 грн
1000+114.76 грн
3000+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 34758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.11 грн
10+202.20 грн
25+160.73 грн
100+135.83 грн
250+127.53 грн
500+110.93 грн
1000+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+241.55 грн
52+238.49 грн
100+178.36 грн
500+138.57 грн
1000+120.12 грн
2000+107.45 грн
5000+103.08 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+107.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.90 грн
10+228.97 грн
25+224.25 грн
100+156.52 грн
250+142.74 грн
500+112.69 грн
1000+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+238.66 грн
59+207.43 грн
100+150.17 грн
250+137.59 грн
500+109.93 грн
1000+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.31 грн
10+163.97 грн
100+120.08 грн
500+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+172.69 грн
250+153.22 грн
1000+114.76 грн
3000+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.65 грн
10+68.46 грн
100+48.81 грн
500+36.27 грн
1000+32.03 грн
2000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.07 грн
500+49.60 грн
1000+36.28 грн
5000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC026NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.29 грн
11+67.08 грн
25+66.21 грн
100+52.14 грн
250+46.85 грн
500+38.00 грн
1000+32.92 грн
3000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.53 грн
176+69.62 грн
206+59.52 грн
214+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.59 грн
10+86.34 грн
100+63.07 грн
500+49.60 грн
1000+36.28 грн
5000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.60 грн
10+79.23 грн
100+50.63 грн
500+40.90 грн
1000+34.56 грн
2500+33.96 грн
5000+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+61.36 грн
202+60.56 грн
237+51.78 грн
250+48.47 грн
500+38.81 грн
1000+30.98 грн
3000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N03SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.25 грн
10+99.80 грн
100+67.69 грн
500+57.43 грн
1000+46.71 грн
2500+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGInfineonTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP BSC027N04LSG TBSC027n04lsg
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSG(XT)
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.13 грн
10+98.93 грн
100+67.01 грн
500+57.05 грн
1000+43.69 грн
2500+43.24 грн
5000+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.96 грн
10+137.05 грн
25+136.50 грн
50+126.71 грн
100+94.24 грн
250+88.76 грн
500+77.44 грн
1000+61.45 грн
3000+55.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.40 грн
250+72.88 грн
1000+60.76 грн
3000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+83.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC027N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.20 грн
50+74.49 грн
250+64.25 грн
1000+53.84 грн
3000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+127.40 грн
100+122.64 грн
125+94.99 грн
250+86.30 грн
500+72.28 грн
1000+57.35 грн
3000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 30427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.69 грн
10+61.08 грн
100+44.48 грн
500+33.99 грн
1000+28.01 грн
2000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+178.81 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 92654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.23 грн
10+120.03 грн
100+87.71 грн
500+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+71.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC027N06LS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.61 грн
10+164.88 грн
100+114.70 грн
250+113.95 грн
500+95.83 грн
1000+77.72 грн
5000+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.76 грн
50+114.28 грн
250+92.27 грн
1000+74.91 грн
3000+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+376.74 грн
34+360.55 грн
50+346.81 грн
100+323.08 грн
250+290.07 грн
500+270.89 грн
1000+264.27 грн
2500+258.44 грн
5000+253.29 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.18 грн
500+205.94 грн
1000+153.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+427.04 грн
41+299.64 грн
52+238.49 грн
100+223.10 грн
500+205.66 грн
1000+181.71 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+322.43 грн
10+236.99 грн
100+169.49 грн
500+154.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+379.24 грн
10+288.66 грн
100+209.93 грн
500+162.71 грн
1000+147.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+171.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+183.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 19598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.80 грн
10+294.18 грн
100+207.52 грн
500+184.12 грн
1000+157.71 грн
2500+148.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 45653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.45 грн
10+158.81 грн
100+110.17 грн
500+92.82 грн
1000+79.23 грн
2500+75.31 грн
5000+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+225.62 грн
57+217.02 грн
100+209.66 грн
250+196.04 грн
500+176.58 грн
1000+165.37 грн
2500+161.72 грн
5000+158.50 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 16359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.17 грн
10+151.86 грн
100+95.08 грн
500+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+182.44 грн
80+152.88 грн
100+144.73 грн
200+138.57 грн
500+116.48 грн
1000+104.83 грн
2000+103.08 грн
5000+99.59 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.05 грн
500+84.89 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 23472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.72 грн
10+139.60 грн
100+100.91 грн
500+77.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+249.35 грн
10+208.01 грн
25+196.89 грн
100+160.01 грн
250+143.99 грн
500+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+232.73 грн
63+194.15 грн
67+183.77 грн
100+149.35 грн
250+134.39 грн
500+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.79 грн
10+143.06 грн
100+110.89 грн
500+88.82 грн
1000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12; Qg, нКл = 23 @ 10 В; Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 48 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+118.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.07 грн
10000+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSInfineon technologies
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.20 грн
10+140.58 грн
100+96.59 грн
500+80.74 грн
1000+69.73 грн
2500+66.33 грн
5000+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSInfineon
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 8222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.05 грн
10+120.03 грн
100+91.76 грн
500+69.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC028N06NSATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.68 грн
10+116.96 грн
27+110.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+100.29 грн
130+94.58 грн
163+75.26 грн
200+69.03 грн
500+54.31 грн
1000+44.52 грн
2000+43.54 грн
5000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.84 грн
10+131.90 грн
100+92.06 грн
500+77.72 грн
1000+73.88 грн
2500+71.31 грн
5000+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.20 грн
500+80.96 грн
1000+63.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.47 грн
10+137.13 грн
100+109.20 грн
500+80.96 грн
1000+63.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.67 грн
500+88.82 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+74.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+167.96 грн
87+141.06 грн
105+117.41 грн
500+90.42 грн
1000+75.71 грн
2000+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.33 грн
10+169.30 грн
100+117.67 грн
500+88.82 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesSQUARE FLANGE RECETACLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 13117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.11 грн
10+148.17 грн
100+103.02 грн
500+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 9764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.71 грн
10+173.56 грн
100+106.40 грн
500+88.29 грн
1000+85.27 грн
2000+83.01 грн
4000+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+200.06 грн
64+192.44 грн
100+185.91 грн
250+173.83 грн
500+156.58 грн
1000+146.63 грн
2500+143.40 грн
5000+140.54 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 10139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.50 грн
10+125.69 грн
100+93.78 грн
500+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+124.34 грн
500+112.11 грн
1000+102.94 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+216.71 грн
50+169.30 грн
250+124.44 грн
1000+83.32 грн
3000+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+124.34 грн
500+112.11 грн
1000+102.94 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.72 грн
10+147.53 грн
25+127.53 грн
100+99.61 грн
250+98.85 грн
500+81.50 грн
1000+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+116.75 грн
119+102.96 грн
136+87.15 грн
250+79.89 грн
500+74.07 грн
1000+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+124.34 грн
500+112.11 грн
1000+102.94 грн
10000+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.30 грн
250+124.44 грн
1000+83.32 грн
3000+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+111.87 грн
500+90.99 грн
1000+83.90 грн
2500+78.59 грн
5000+64.00 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.09 грн
10+110.88 грн
25+110.32 грн
100+93.38 грн
250+85.60 грн
500+79.37 грн
1000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC029N025SGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 15 V
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 402
В кошику  од. на суму  грн.
BSC029N025SGinfineon08+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.59 грн
500+88.04 грн
1000+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.54 грн
10+114.55 грн
100+79.23 грн
500+67.91 грн
1000+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+74.43 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.31 грн
10+142.21 грн
100+112.59 грн
500+88.04 грн
1000+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.70 грн
10+103.12 грн
25+102.09 грн
100+86.15 грн
250+78.06 грн
500+68.39 грн
1000+68.37 грн
3000+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.60 грн
10+131.19 грн
100+90.57 грн
500+68.66 грн
1000+63.40 грн
2000+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.97 грн
10+91.42 грн
100+76.19 грн
500+63.36 грн
1000+54.06 грн
5000+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.19 грн
500+63.36 грн
1000+54.06 грн
5000+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.32 грн
10+109.73 грн
100+75.02 грн
500+56.44 грн
1000+51.94 грн
2000+48.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.60 грн
10+65.61 грн
100+39.77 грн
500+34.56 грн
1000+29.43 грн
2500+27.32 грн
5000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGInfineon technologies
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGINFINEON1035+ TDSON-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 412
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.42 грн
10000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+42.91 грн
19+38.54 грн
25+38.16 грн
100+33.39 грн
250+30.61 грн
500+27.61 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 20566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.91 грн
100+28.34 грн
500+24.26 грн
1000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC030N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.54 грн
10000+25.05 грн
25000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.95 грн
32+27.17 грн
100+26.24 грн
500+23.90 грн
1000+21.84 грн
5000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.66 грн
12+30.72 грн
25+26.56 грн
100+24.68 грн
250+24.37 грн
500+23.24 грн
1000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.79 грн
10000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSЎЎG
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.99 грн
10+63.78 грн
100+37.81 грн
500+31.62 грн
1000+26.86 грн
2500+24.37 грн
5000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MS GInfineonQFN
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSG
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+35.69 грн
1000+30.26 грн
5000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 6205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.88 грн
10+65.87 грн
25+53.05 грн
100+38.33 грн
250+36.90 грн
500+29.96 грн
1000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC030N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.06 грн
10000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 9528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.87 грн
10+58.25 грн
100+39.08 грн
500+28.63 грн
1000+25.89 грн
2000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.97 грн
16+55.79 грн
100+41.65 грн
500+35.69 грн
1000+30.26 грн
5000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+37.61 грн
327+37.41 грн
500+35.68 грн
5000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.16 грн
10000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 13975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.53 грн
10+46.69 грн
100+36.22 грн
5000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+30.82 грн
406+30.14 грн
407+29.01 грн
500+26.83 грн
1000+25.74 грн
3000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 397
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.64 грн
500+41.58 грн
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
на замовлення 25121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.75 грн
10+65.79 грн
100+43.81 грн
500+32.28 грн
1000+29.43 грн
2000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.88 грн
13+70.01 грн
100+51.64 грн
500+41.58 грн
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+35.98 грн
341+35.88 грн
500+35.47 грн
5000+33.71 грн
10000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+33.97 грн
22+33.02 грн
25+32.30 грн
100+31.12 грн
250+28.78 грн
500+27.60 грн
1000+27.58 грн
3000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.24 грн
10000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5Infineon technologies
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.29 грн
10+139.72 грн
25+114.70 грн
100+88.29 грн
250+86.02 грн
500+72.67 грн
1000+65.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.29 грн
250+102.43 грн
1000+72.63 грн
3000+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
на замовлення 4516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.89 грн
10+127.89 грн
100+88.22 грн
500+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0026 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+215.01 грн
50+136.29 грн
250+102.43 грн
1000+72.63 грн
3000+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC030N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 22A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP005561083
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 171 A, 0.003 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+210.78 грн
500+183.93 грн
1000+145.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+337.18 грн
10+218.68 грн
100+134.32 грн
500+113.19 грн
1000+107.91 грн
4000+104.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 22A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N10NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N10NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 171 A, 0.003 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.69 грн
10+259.88 грн
100+210.78 грн
500+183.93 грн
1000+145.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.84 грн
10+164.01 грн
100+113.95 грн
250+104.89 грн
500+95.08 грн
1000+83.01 грн
5000+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC030P03NS3GAUMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.87 грн
11+104.70 грн
29+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 27908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.17 грн
10+111.78 грн
100+82.64 грн
500+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 16636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+176.12 грн
103+119.86 грн
115+106.81 грн
500+86.49 грн
2000+73.36 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.84 грн
10+121.05 грн
100+88.88 грн
500+69.88 грн
1000+61.82 грн
5000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.09 грн
10+94.06 грн
25+69.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1
Код товару: 142919
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+79.17 грн
10+72.75 грн
25+72.18 грн
100+63.16 грн
500+54.07 грн
1000+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.88 грн
500+69.88 грн
1000+61.82 грн
5000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.44 грн
10+140.58 грн
100+95.08 грн
500+78.48 грн
1000+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+67.75 грн
182+67.21 грн
201+61.00 грн
500+54.38 грн
1000+47.27 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.20 грн
10+141.45 грн
100+90.55 грн
250+84.52 грн
500+76.22 грн
1000+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 6199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.68 грн
10+133.94 грн
100+92.53 грн
500+72.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.63 грн
10+144.75 грн
100+101.58 грн
500+78.13 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSC031N06NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.58 грн
500+78.13 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SINF09+
на замовлення 18503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SinfineonTDSON-8
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03S GInfineon09+
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03S GINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SGINFINEON
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SGINFINEON06+ P-TDSON-
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SGinfineon09+
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SGinfineon06+
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SGINFINEON07+ DIP16
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N03SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LS
Код товару: 196253
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+91.85 грн
140+87.74 грн
250+84.23 грн
500+78.29 грн
1000+70.12 грн
2500+65.32 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 7507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.53 грн
10+65.95 грн
100+38.11 грн
500+30.03 грн
1000+27.09 грн
2500+25.58 грн
5000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.96 грн
6+72.32 грн
18+54.24 грн
25+51.88 грн
47+51.09 грн
50+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.17 грн
250+48.67 грн
1000+30.26 грн
3000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.76 грн
5+90.12 грн
18+65.08 грн
25+62.25 грн
47+61.31 грн
50+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.91 грн
10+49.60 грн
100+37.61 грн
500+29.10 грн
1000+25.30 грн
2000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+103.55 грн
176+69.63 грн
208+58.87 грн
500+49.14 грн
1000+43.17 грн
5000+34.25 грн
10000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.66 грн
50+64.17 грн
250+48.67 грн
1000+30.26 грн
3000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.64 грн
10+65.95 грн
100+38.11 грн
500+29.81 грн
1000+25.58 грн
2500+25.20 грн
5000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.