Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC024NE2LSATMA1

BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC024NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 179706-7
Price: 21.93 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	21.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V.

Інші пропозиції BSC024NE2LSATMA1 за ціною від 24.52 грн до 79.46 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b

Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	28.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-bsc024ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	30.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
206+	56.66 грн
207+	56.49 грн
245+	47.56 грн
251+	44.83 грн
500+	36.13 грн
1000+	27.62 грн
3000+	26.4 грн

Мінімальне замовлення: 206

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	57.77 грн
11+	52.61 грн
25+	52.45 грн
100+	42.58 грн
250+	38.55 грн
500+	32.2 грн
1000+	25.65 грн
3000+	24.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSC024NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3360737.pdf

MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 6012 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	62.03 грн
10+	52.07 грн
100+	36.87 грн
500+	32.07 грн
1000+	26.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V

на замовлення 10436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	71.8 грн
10+	56.89 грн
100+	44.21 грн
500+	35.17 грн
1000+	28.65 грн
2000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
147+	79.46 грн
161+	72.34 грн
198+	58.88 грн
212+	53.15 грн
1000+	43.56 грн
5000+	38 грн

Мінімальне замовлення: 147

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : Infineon

Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	53.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

BSC024NE2LSATMA1
Код товару: 116188

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSC024NE2LSATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товар відсутній