Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC024NE2LSATMA1
BSC024NE2LSATMA1

BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies

bsc024ne2ls_rev1.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC024NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V.

Інші пропозиції BSC024NE2LSATMA1 за ціною від 23.05 грн до 95.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc024ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
421+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 421
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc024ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.92 грн
21+29.50 грн
25+29.45 грн
100+26.64 грн
250+24.61 грн
500+23.43 грн
1000+23.24 грн
3000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc024ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+38.04 грн
325+37.53 грн
1000+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
на замовлення 12371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.27 грн
10+57.60 грн
100+41.33 грн
500+32.73 грн
1000+27.96 грн
2000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC024NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3360737.pdf MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.67 грн
10+63.34 грн
100+39.40 грн
500+32.73 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 Виробник : Infineon BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1
Код товару: 116188
Додати до обраних Обраний товар

BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc024ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b BSC024NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.