Інші пропозиції BSC024NE2LSATMA1 за ціною від 27.18 грн до 91.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC024NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC024NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC024NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC024NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC024NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC024NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V |
на замовлення 12371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC024NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS |
на замовлення 3089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC024NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |