BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 379+ | 32.89 грн |
| 385+ | 32.38 грн |
| 391+ | 31.88 грн |
| 397+ | 30.25 грн |
| 500+ | 27.55 грн |
| 1000+ | 26.02 грн |
| 3000+ | 25.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC025N03MSGATMA1 за ціною від 27.10 грн до 125.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC025N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC025N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC025N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC025N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC025N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC025N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC025N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC025N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC025N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC025N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC025N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |