Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC025N03MSGATMA1
BSC025N03MSGATMA1

BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
379+37.49 грн
385+36.91 грн
391+36.34 грн
397+34.48 грн
500+31.40 грн
1000+29.65 грн
3000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC025N03MSGATMA1 за ціною від 29.16 грн до 115.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.06 грн
21+37.49 грн
25+36.91 грн
100+35.04 грн
250+31.93 грн
500+30.15 грн
1000+29.65 грн
3000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+60.80 грн
1000+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+60.80 грн
1000+56.08 грн
10000+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+60.80 грн
1000+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC025N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de52b02d034c Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+70.37 грн
100+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC025N03MS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360591.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 INFINEON Infineon-BSC025N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de52b02d034c Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC025N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.06 грн
21+37.49 грн
25+36.91 грн
100+35.04 грн
250+31.93 грн
500+30.15 грн
1000+29.65 грн
3000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC025N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC025N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC025N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
583+60.80 грн
1000+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC025N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
583+60.80 грн
1000+56.08 грн
10000+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 infineon-bsc025n03msg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC025N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
583+60.80 грн
1000+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 Infineon-BSC025N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de52b02d034c
BSC025N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.72 грн
10+70.37 грн
100+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 Infineon_BSC025N03MS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360591.pdf
BSC025N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC025N03MSGATMA1 Infineon-BSC025N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de52b02d034c
BSC025N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.