BSC026N02KSGAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 39.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC026N02KSGAUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V.
Інші пропозиції BSC026N02KSGAUMA1 за ціною від 58.52 грн до 58.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC026N02KSGAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSONPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V |
на замовлення 26892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BSC026N02KSGAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 |
на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
BSC026N02KSGAUMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC026N02KSGAUMA1 - BSC026N02 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| BSC026N02KSGAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||
|
|
BSC026N02KSGAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
BSC026N02KSGAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |