Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC026N04LSATMA1
BSC026N04LSATMA1

BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 63W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.

Інші пропозиції BSC026N04LSATMA1 за ціною від 29.16 грн до 153.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 31998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
724+48.88 грн
1000+45.08 грн
10000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.92 грн
293+48.28 грн
500+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.59 грн
100+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC026N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043410d6ee40141127f49e92b5d Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.12 грн
10+60.24 грн
50+44.81 грн
100+37.37 грн
500+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.38 грн
10+88.92 грн
100+48.28 грн
500+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC026N04LS_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 4749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 31998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
724+48.88 грн
1000+45.08 грн
10000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+88.92 грн
293+48.28 грн
500+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+91.59 грн
100+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 Infineon-BSC026N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043410d6ee40141127f49e92b5d
BSC026N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.12 грн
10+60.24 грн
50+44.81 грн
100+37.37 грн
500+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+153.38 грн
10+88.92 грн
100+48.28 грн
500+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 Infineon_BSC026N04LS_DataSheet_v02_03_EN.pdf
BSC026N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 8773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC026N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 4749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC026N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.