Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC026N04LSATMA1
BSC026N04LSATMA1

BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
331+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC026N04LSATMA1 за ціною від 33.51 грн до 110.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+54.20 грн
228+53.66 грн
247+49.68 грн
250+47.43 грн
500+40.89 грн
1000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+54.86 грн
13+48.96 грн
25+48.47 грн
100+42.40 грн
250+38.86 грн
500+35.46 грн
1000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC026N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043410d6ee40141127f49e92b5d Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.12 грн
10+57.77 грн
100+45.17 грн
500+38.88 грн
1000+35.53 грн
2000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.31 грн
250+62.13 грн
1000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.20 грн
50+73.31 грн
250+62.13 грн
1000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC026N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360819.pdf MOSFETs N
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.05 грн
10+83.13 грн
100+55.61 грн
500+47.54 грн
1000+40.60 грн
2500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C28471E353E11C&compId=BSC026N04LS-DTE.pdf?ci_sign=95197db971ae602846dd7418207997742f7e4fba Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC026N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043410d6ee40141127f49e92b5d Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C28471E353E11C&compId=BSC026N04LS-DTE.pdf?ci_sign=95197db971ae602846dd7418207997742f7e4fba Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.