BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+87.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V.

Інші пропозиції BSC026N08NS5ATMA1 за ціною від 81.76 грн до 279.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC026N08NS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.13 грн
10+162.11 грн
100+107.84 грн
500+99.38 грн
2500+93.04 грн
5000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0 Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 14382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.11 грн
10+176.00 грн
100+123.45 грн
500+96.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1 Infineon_BSC026N08NS5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+226.13 грн
10+162.11 грн
100+107.84 грн
500+99.38 грн
2500+93.04 грн
5000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026N08NS5ATMA1 Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 14382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+279.11 грн
10+176.00 грн
100+123.45 грн
500+96.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.