BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC026NE2LS5ATMA1 за ціною від 29.17 грн до 116.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC026NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LV POWER MOS |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
BSC026NE2LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSC026NE2LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC026NE2LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 45.70 грн |
| BSC026NE2LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 70.96 грн |
| 202+ | 70.04 грн |
| 237+ | 59.87 грн |
| 250+ | 56.05 грн |
| 500+ | 44.88 грн |
| 1000+ | 35.83 грн |
| 3000+ | 34.82 грн |
| BSC026NE2LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 174+ | 81.56 грн |
| 176+ | 80.50 грн |
| 206+ | 68.83 грн |
| 214+ | 63.76 грн |
| BSC026NE2LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 82.34 грн |
| 11+ | 72.40 грн |
| 25+ | 71.46 грн |
| 100+ | 56.27 грн |
| 250+ | 50.57 грн |
| 500+ | 41.02 грн |
| 1000+ | 35.53 грн |
| 3000+ | 34.82 грн |
| BSC026NE2LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 116.24 грн |
| 10+ | 70.67 грн |
| 100+ | 47.13 грн |
| 500+ | 34.77 грн |
| 1000+ | 31.73 грн |
| 2000+ | 29.17 грн |
| BSC026NE2LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LV POWER MOS
MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC026NE2LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC026NE2LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)