Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC026NE2LS5ATMA1
BSC026NE2LS5ATMA1

BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc026ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC026NE2LS5ATMA1 за ціною від 27.96 грн до 113.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3 Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+61.36 грн
202+60.56 грн
237+51.78 грн
250+48.47 грн
500+38.81 грн
1000+30.98 грн
3000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : INFINEON 2354549.pdf Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.81 грн
500+50.18 грн
1000+36.71 грн
5000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.12 грн
11+58.13 грн
25+57.38 грн
100+45.18 грн
250+40.61 грн
500+32.93 грн
1000+28.53 грн
3000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+70.53 грн
176+69.62 грн
206+59.52 грн
214+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC026NE2LS5_DataSheet_v02_01_EN-3360895.pdf MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.76 грн
10+80.16 грн
100+51.23 грн
500+41.38 грн
1000+34.97 грн
2500+34.36 грн
5000+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : INFINEON 2354549.pdf Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.91 грн
10+87.36 грн
100+63.81 грн
500+50.18 грн
1000+36.71 грн
5000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3 Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.97 грн
10+69.27 грн
100+49.39 грн
500+36.70 грн
1000+32.40 грн
2000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C287232F8F811C&compId=BSC026NE2LS5-DTE.pdf?ci_sign=9ba57efedcf67f25fbe19cd1bedc471bcf370d94 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C287232F8F811C&compId=BSC026NE2LS5-DTE.pdf?ci_sign=9ba57efedcf67f25fbe19cd1bedc471bcf370d94 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.