Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC026NE2LS5ATMA1
BSC026NE2LS5ATMA1

BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+28.99 грн
10000+26.11 грн
15000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC026NE2LS5ATMA1 за ціною від 26.92 грн до 114.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3 Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.04 грн
500+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3 Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.30 грн
100+47.04 грн
500+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC026NE2LS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.54 грн
10+68.98 грн
100+41.02 грн
500+33.62 грн
1000+28.83 грн
2500+28.26 грн
5000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3 Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 16375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+70.09 грн
100+46.76 грн
500+34.50 грн
1000+31.48 грн
2000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3
BSC026NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+47.04 грн
500+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3
BSC026NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 82 A, 2600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+58.30 грн
100+47.04 грн
500+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon_BSC026NE2LS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC026NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LV POWER MOS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+108.54 грн
10+68.98 грн
100+41.02 грн
500+33.62 грн
1000+28.83 грн
2500+28.26 грн
5000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3
BSC026NE2LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 16375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.97 грн
10+70.09 грн
100+46.76 грн
500+34.50 грн
1000+31.48 грн
2000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.