Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC027N04LSGATMA1
BSC027N04LSGATMA1

BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies

bsc027n04lsg_rev1.04.pdffileiddb3a30431689f4420116c4323646080cfol.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSC027N04LSGATMA1 за ціною від 36.63 грн до 125.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+39.87 грн
10000+ 36.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 57117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.1 грн
10+ 79.77 грн
100+ 62.03 грн
500+ 49.34 грн
1000+ 40.19 грн
2000+ 37.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC027N04LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360719.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.82 грн
10+ 87.52 грн
100+ 59.28 грн
500+ 50.47 грн
1000+ 38.65 грн
2500+ 38.25 грн
5000+ 36.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 27433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+125.82 грн
10+ 103.35 грн
100+ 77.14 грн
500+ 59.39 грн
1000+ 40.44 грн
5000+ 39.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній