Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC027N04LSGATMA1
BSC027N04LSGATMA1

BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+22.49 грн
10000+20.17 грн
15000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції BSC027N04LSGATMA1 за ціною від 22.59 грн до 205.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 21174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.14 грн
10+56.26 грн
100+37.15 грн
500+27.16 грн
1000+24.68 грн
2000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+146.34 грн
100+140.87 грн
125+109.12 грн
250+99.13 грн
500+83.03 грн
1000+65.88 грн
3000+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.07 грн
10+146.93 грн
25+146.34 грн
50+135.84 грн
100+101.04 грн
250+95.16 грн
500+83.03 грн
1000+65.88 грн
3000+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.40 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC027N04LS G-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 25015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON INFNS30318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 14502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON INFNS30318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 14502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 21174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.14 грн
10+56.26 грн
100+37.15 грн
500+27.16 грн
1000+24.68 грн
2000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+146.34 грн
100+140.87 грн
125+109.12 грн
250+99.13 грн
500+83.03 грн
1000+65.88 грн
3000+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+165.07 грн
10+146.93 грн
25+146.34 грн
50+135.84 грн
100+101.04 грн
250+95.16 грн
500+83.03 грн
1000+65.88 грн
3000+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 infineon-bsc027n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+205.40 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 Infineon-BSC027N04LS G-DataSheet-v02_00-EN.pdf
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 25015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 INFNS30318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 14502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 INFNS30318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 14502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.