Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC027N06LS5ATMA1
BSC027N06LS5ATMA1

BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+65.80 грн
10000+59.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції BSC027N06LS5ATMA1 за ціною від 64.75 грн до 232.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 47012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.46 грн
10+144.69 грн
100+99.67 грн
500+75.45 грн
1000+69.63 грн
2000+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC027N06LS5-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON 2849732.pdf Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6 Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6
BSC027N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 47012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.46 грн
10+144.69 грн
100+99.67 грн
500+75.45 грн
1000+69.63 грн
2000+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 Infineon-BSC027N06LS5-DataSheet-v02_03-EN.pdf
BSC027N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 2849732.pdf
BSC027N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N06LS5ATMA1 Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+76.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.