BSC027N10NS5 Infineon Technologies


infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+511.47 грн
30+489.50 грн
50+470.85 грн
100+438.63 грн
250+393.82 грн
500+367.78 грн
1000+358.78 грн
2500+350.87 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 29 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC027N10NS5 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 23A, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 23A, On-state resistance: 2.7mΩ, Gate charge: 89nC, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції BSC027N10NS5 за ціною від 219.90 грн до 312.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC027N10NS5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 23A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 2.7mΩ
Gate charge: 89nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+312.70 грн
30+257.25 грн
50+251.31 грн
60+249.61 грн
100+246.21 грн
200+219.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 23A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 2.7mΩ
Gate charge: 89nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+312.70 грн
30+257.25 грн
50+251.31 грн
60+249.61 грн
100+246.21 грн
200+219.90 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.