Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC027N10NS5ATMA1
BSC027N10NS5ATMA1

BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+130.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2700 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції BSC027N10NS5ATMA1 за ціною від 140.41 грн до 489.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+225.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+226.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+228.99 грн
500+217.13 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+228.99 грн
500+217.13 грн
1000+205.26 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 9357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.63 грн
10+240.80 грн
50+188.69 грн
100+161.35 грн
500+144.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc027n10ns5_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 16968 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+406.98 грн
10+209.42 грн
100+166.01 грн
500+148.46 грн
1000+142.61 грн
2500+140.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+489.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+489.49 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441 Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2700 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 5313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441 Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2700 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 5313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+225.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+226.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+228.99 грн
500+217.13 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+228.99 грн
500+217.13 грн
1000+205.26 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 9357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.63 грн
10+240.80 грн
50+188.69 грн
100+161.35 грн
500+144.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 infineon_bsc027n10ns5_datasheet_en.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 16968 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+406.98 грн
10+209.42 грн
100+166.01 грн
500+148.46 грн
1000+142.61 грн
2500+140.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+489.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 infineonbsc027n10ns5datasheetv0201en.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+489.49 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2700 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 5313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2700 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 5313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.