Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC027N10NS5ATMA1
BSC027N10NS5ATMA1

BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+129.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC027N10NS5ATMA1 за ціною від 143.58 грн до 490.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n10ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+197.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n10ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+197.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 20066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.09 грн
10+239.86 грн
100+171.28 грн
500+143.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc027n10ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+490.54 грн
41+344.20 грн
52+273.96 грн
100+256.27 грн
500+236.24 грн
1000+208.73 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC027N10NS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 12162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441 Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441 Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 infineon-bsc027n10ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+197.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 infineon-bsc027n10ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+197.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 20066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+374.09 грн
10+239.86 грн
100+171.28 грн
500+143.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 infineon-bsc027n10ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+490.54 грн
41+344.20 грн
52+273.96 грн
100+256.27 грн
500+236.24 грн
1000+208.73 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 Infineon_BSC027N10NS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 12162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 Infineon-BSC027N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7cb36906441
BSC027N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.