Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC028N06LS3GATMA1
BSC028N06LS3GATMA1

BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 16179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції BSC028N06LS3GATMA1 за ціною від 73.84 грн до 236.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 17559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.29 грн
10+147.83 грн
100+102.47 грн
500+77.96 грн
1000+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC024NE2LS-DataSheet-v02_04-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 48 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c
BSC028N06LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 17559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+236.29 грн
10+147.83 грн
100+102.47 грн
500+77.96 грн
1000+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06LS3GATMA1 Infineon-BSC024NE2LS-DataSheet-v02_04-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 48 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.