BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 75.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC028N06LS3GATMA1 за ціною від 71.59 грн до 248.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 22247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
на замовлення 23472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 16359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 22147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12; Qg, нКл = 23 @ 10 В; Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 48 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8 |
на замовлення 70 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |