Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC028N06NSATMA1
BSC028N06NSATMA1

BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies

BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+73.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC028N06NSATMA1 за ціною від 75.42 грн до 315.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc028n06nsdatasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.73 грн
100+147.81 грн
250+141.89 грн
500+131.87 грн
1000+118.12 грн
2500+110.05 грн
5000+107.09 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc028n06nsdatasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON 4104979.pdf Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.00 грн
250+145.55 грн
1000+105.37 грн
3000+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.66 грн
10+142.53 грн
50+102.66 грн
100+89.93 грн
250+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies infineonbsc028n06nsdatasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.26 грн
100+158.85 грн
500+129.19 грн
1000+123.14 грн
5000+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9 Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 29537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.94 грн
10+159.13 грн
100+110.71 грн
500+84.50 грн
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC028N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.27 грн
10+151.57 грн
100+97.97 грн
500+81.05 грн
1000+80.35 грн
5000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON 4104979.pdf Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+315.76 грн
50+199.00 грн
250+145.55 грн
1000+105.37 грн
3000+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 infineonbsc028n06nsdatasheetv0206en.pdf
BSC028N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
92+154.73 грн
100+147.81 грн
250+141.89 грн
500+131.87 грн
1000+118.12 грн
2500+110.05 грн
5000+107.09 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 infineonbsc028n06nsdatasheetv0206en.pdf
BSC028N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 4104979.pdf
BSC028N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+199.00 грн
250+145.55 грн
1000+105.37 грн
3000+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NS-DTE.pdf
BSC028N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+204.66 грн
10+142.53 грн
50+102.66 грн
100+89.93 грн
250+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 infineonbsc028n06nsdatasheetv0206en.pdf
BSC028N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
62+228.26 грн
100+158.85 грн
500+129.19 грн
1000+123.14 грн
5000+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9
BSC028N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 29537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+252.94 грн
10+159.13 грн
100+110.71 грн
500+84.50 грн
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 Infineon_BSC028N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf
BSC028N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+253.27 грн
10+151.57 грн
100+97.97 грн
500+81.05 грн
1000+80.35 грн
5000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 4104979.pdf
BSC028N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+315.76 грн
50+199.00 грн
250+145.55 грн
1000+105.37 грн
3000+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.