Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC028N06NSATMA1
BSC028N06NSATMA1

BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies

bsc028n06ns_rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC028N06NSATMA1 за ціною від 61.33 грн до 220.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+68.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 4104979.pdf Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.38 грн
500+75.44 грн
1000+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.55 грн
10+122.46 грн
11+80.88 грн
31+76.35 грн
500+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9 Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.20 грн
10+115.88 грн
100+88.58 грн
500+67.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+169.59 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : INFINEON 4104979.pdf Description: INFINEON - BSC028N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.46 грн
10+140.83 грн
100+103.38 грн
500+75.44 грн
1000+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.46 грн
10+152.60 грн
11+97.06 грн
31+91.61 грн
500+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC028N06NS_DataSheet_v02_05_EN-3360863.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.12 грн
10+141.87 грн
100+93.61 грн
250+87.08 грн
500+76.19 грн
1000+67.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc028n06ns_rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9 Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.