Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC028N06NSSCATMA1
BSC028N06NSSCATMA1

BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC028N06NSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462727878c201727efd2c445c09
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+61.99 грн
8000+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2300 µohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS SC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції BSC028N06NSSCATMA1 за ціною від 66.73 грн до 298.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC028N06NSSCATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC028N06NSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462727878c201727efd2c445c09 Description: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 11415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.45 грн
10+132.83 грн
100+91.66 грн
500+69.52 грн
1000+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies infineonbsc028n06nsscdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.00 грн
10+206.64 грн
100+150.01 грн
500+119.68 грн
1000+107.00 грн
2000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies infineonbsc028n06nsscdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+298.05 грн
68+208.08 грн
100+151.05 грн
500+120.50 грн
1000+107.73 грн
2000+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2300 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC028N06NSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2300 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 Infineon-BSC028N06NSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462727878c201727efd2c445c09
BSC028N06NSSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 11415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.45 грн
10+132.83 грн
100+91.66 грн
500+69.52 грн
1000+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 infineonbsc028n06nsscdatasheetv0201en.pdf
BSC028N06NSSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+296.00 грн
10+206.64 грн
100+150.01 грн
500+119.68 грн
1000+107.00 грн
2000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 infineonbsc028n06nsscdatasheetv0201en.pdf
BSC028N06NSSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+298.05 грн
68+208.08 грн
100+151.05 грн
500+120.50 грн
1000+107.73 грн
2000+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 INFN-S-A0010753619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC028N06NSSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2300 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 Infineon-BSC028N06NSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf
BSC028N06NSSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 INFN-S-A0010753619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC028N06NSSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2300 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.