BSC028N06NSTATMA1

BSC028N06NSTATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC028N06NST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e6c1d2cbb Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC028N06NSTATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC028N06NSTATMA1 за ціною від 69.25 грн до 239.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06nst-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+74.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06nst-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+82.70 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06nst-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+115.63 грн
500+110.56 грн
1000+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06nst-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+115.63 грн
500+110.56 грн
1000+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06nst-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+115.63 грн
500+110.56 грн
1000+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06nst-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+136.20 грн
10+116.71 грн
25+115.16 грн
100+91.07 грн
250+83.68 грн
500+76.15 грн
1000+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06nst-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+146.68 грн
97+125.69 грн
99+124.02 грн
120+98.07 грн
250+90.12 грн
500+82.01 грн
1000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+169.60 грн
250+121.02 грн
1000+81.80 грн
3000+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC028N06NST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e6c1d2cbb Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 15699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.24 грн
10+125.45 грн
100+96.17 грн
500+71.82 грн
1000+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC028N06NST_DataSheet_v02_04_EN-3360711.pdf MOSFETs N
на замовлення 16871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.35 грн
10+167.11 грн
100+117.43 грн
500+99.08 грн
1000+80.00 грн
5000+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+239.58 грн
50+169.60 грн
250+121.02 грн
1000+81.80 грн
3000+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06nst-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.