Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC028N06NSTATMA1
BSC028N06NSTATMA1

BSC028N06NSTATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC028N06NST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e6c1d2cbb
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+71.72 грн
10000+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC028N06NSTATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC028N06NSTATMA1 за ціною від 62.45 грн до 250.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 INFINEON INFNS19711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.28 грн
250+108.54 грн
1000+80.17 грн
3000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC028N06NST_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.66 грн
10+140.23 грн
100+85.99 грн
500+69.71 грн
1000+66.68 грн
2500+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 INFINEON INFNS19711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+241.76 грн
50+165.28 грн
250+108.54 грн
1000+80.17 грн
3000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC028N06NST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e6c1d2cbb Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 17362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.57 грн
10+156.53 грн
100+108.08 грн
500+81.99 грн
1000+75.75 грн
2000+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 INFNS19711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC028N06NSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+165.28 грн
250+108.54 грн
1000+80.17 грн
3000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 Infineon_BSC028N06NST_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSC028N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+223.66 грн
10+140.23 грн
100+85.99 грн
500+69.71 грн
1000+66.68 грн
2500+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 INFNS19711-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC028N06NSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+241.76 грн
50+165.28 грн
250+108.54 грн
1000+80.17 грн
3000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSTATMA1 Infineon-BSC028N06NST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e6c1d2cbb
BSC028N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 17362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+250.57 грн
10+156.53 грн
100+108.08 грн
500+81.99 грн
1000+75.75 грн
2000+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.