BSC028N06NSTATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 80.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC028N06NSTATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC028N06NSTATMA1 за ціною від 66.77 грн до 198.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 7991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC028N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSC028N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |