BSC0302LSATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 66.41 грн |
| 10000+ | 61.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0302LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSC0302LSATMA1 за ціною від 62.36 грн до 190.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC0302LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V |
на замовлення 10035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0302LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 3908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0302LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85 euEccn: NLR Verlustleistung: 156 Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSC0302LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |