Продукція > INFINEON > BSC0303LSATMA1
BSC0303LSATMA1

BSC0303LSATMA1 INFINEON

3974484.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+63.15 грн
500+51.92 грн
1000+43.21 грн
5000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0303LSATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0303LSATMA1 за ціною від 41.09 грн до 171.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0303LSATMA1 BSC0303LSATMA1 INFINEON 3974484.pdf Description: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.28 грн
11+82.07 грн
100+63.15 грн
500+51.92 грн
1000+43.21 грн
5000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1 BSC0303LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0303LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172c768685d0d25 Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.27 грн
10+106.59 грн
100+72.87 грн
500+54.82 грн
1000+50.45 грн
2000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1 3974484.pdf
BSC0303LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0303LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+128.28 грн
11+82.07 грн
100+63.15 грн
500+51.92 грн
1000+43.21 грн
5000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0303LSATMA1 Infineon-BSC0303LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172c768685d0d25
BSC0303LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+171.27 грн
10+106.59 грн
100+72.87 грн
500+54.82 грн
1000+50.45 грн
2000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.