BSC030N03LS G

BSC030N03LS G Infineon Technologies


Infineon_BSC030N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360864.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.35 грн
10+ 66.32 грн
100+ 44.88 грн
500+ 38.02 грн
1000+ 31.03 грн
2500+ 30.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030N03LS G Infineon Technologies

Description: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 122A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC030N03LS G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC030N03LSЎЎG
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSG Виробник : INF INFNS16147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSG Виробник : infineon INFNS16147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSG Виробник : INFINEON INFNS16147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 1035+ TDSON-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSG Виробник : Infineon technologies INFNS16147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSG BSC030N03LSG Виробник : Infineon Technologies INFNS16147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товар відсутній