Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC030N03LSGATMA1
BSC030N03LSGATMA1

BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+21.68 грн
10000+19.46 грн
15000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Інші пропозиції BSC030N03LSGATMA1 за ціною від 22.14 грн до 88.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.33 грн
10000+28.77 грн
25000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.40 грн
10000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.01 грн
19+41.32 грн
25+40.91 грн
100+35.80 грн
250+32.81 грн
500+29.60 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 19542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.52 грн
10+53.89 грн
100+35.65 грн
500+26.10 грн
1000+23.74 грн
2000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 INFINEON INFNS16147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC030N03LS G-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.33 грн
10000+28.77 грн
25000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.40 грн
10000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
412+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 infineon-bsc030n03lsg-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+46.01 грн
19+41.32 грн
25+40.91 грн
100+35.80 грн
250+32.81 грн
500+29.60 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 19542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.52 грн
10+53.89 грн
100+35.65 грн
500+26.10 грн
1000+23.74 грн
2000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 INFNS16147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 Infineon-BSC030N03LS G-DataSheet-v02_00-EN.pdf
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.