Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC030N04NSGATMA1
BSC030N04NSGATMA1

BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies

BSC030N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c45f30440837 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.30 грн
10000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC030N04NSGATMA1 за ціною від 21.65 грн до 107.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
383+31.67 грн
404+29.99 грн
421+28.78 грн
426+27.47 грн
500+23.92 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030n04nsg_rev1.04.pdffileiddb3a30431689f4420116c45f30440837fol.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
357+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 357
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+36.65 грн
21+34.13 грн
25+32.36 грн
100+29.97 грн
250+27.68 грн
500+24.72 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.74 грн
500+41.67 грн
1000+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.06 грн
13+70.15 грн
100+51.74 грн
500+41.67 грн
1000+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC030N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c45f30440837 Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
на замовлення 25121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.97 грн
10+65.93 грн
100+43.90 грн
500+32.34 грн
1000+29.49 грн
2000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc030n04nsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A0048075011C&compId=BSC030N04NSG-DTE.pdf?ci_sign=1cb149ca5d05eeeed2dc9b829e3e4037b61615c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC030N04NS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360665.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A0048075011C&compId=BSC030N04NSG-DTE.pdf?ci_sign=1cb149ca5d05eeeed2dc9b829e3e4037b61615c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.