BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 29.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції BSC030N04NSGATMA1 за ціною від 28.08 грн до 119.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC030N04NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC030N04NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030N04NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V |
на замовлення 44708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030N04NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 11680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030N04NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC030N04NSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 83 Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 6475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030N04NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC030N04NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC030N04NSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC030N04NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC030N04NSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 |
товар відсутній |