Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC030N08NS5ATMA1
BSC030N08NS5ATMA1

BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC030N08NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014aed52f4210acf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Інші пропозиції BSC030N08NS5ATMA1 за ціною від 72.36 грн до 232.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC030N08NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014aed52f4210acf Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
на замовлення 45162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.60 грн
10+138.58 грн
50+106.03 грн
100+89.65 грн
500+72.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc030n08ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+232.08 грн
88+161.58 грн
90+158.79 грн
95+144.29 грн
172+73.77 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC030N08NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 100A
на замовлення 23281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 INFINEON 4013649.pdf Description: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 36839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 INFINEON 4013649.pdf Description: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Infineon-BSC030N08NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014aed52f4210acf Транзистор, N-MOSFET, полевой, 80В, 100А, 139Вт, PG-TDSON-8 Транзистори
на замовлення 203 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+167.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 Infineon-BSC030N08NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014aed52f4210acf
BSC030N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
на замовлення 45162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.60 грн
10+138.58 грн
50+106.03 грн
100+89.65 грн
500+72.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 infineonbsc030n08ns5datasheetv0204en.pdf
BSC030N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 161A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+232.08 грн
88+161.58 грн
90+158.79 грн
95+144.29 грн
172+73.77 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 Infineon_BSC030N08NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSC030N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 100A
на замовлення 23281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 4013649.pdf
BSC030N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 36839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 4013649.pdf
BSC030N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 Infineon-BSC030N08NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014aed52f4210acf
Виробник: Infineon
Транзистор, N-MOSFET, полевой, 80В, 100А, 139Вт, PG-TDSON-8 Транзистори
на замовлення 203 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+167.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.