Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC030P03NS3GAUMA1
BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies

bsc030p03ns3g_2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, BRT, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSC030P03NS3GAUMA1 за ціною від 48.29 грн до 222.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+85.37 грн
10+ 78.93 грн
100+ 72.9 грн
250+ 69.48 грн
500+ 59.38 грн
1000+ 53.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
128+91.73 грн
138+ 84.8 грн
150+ 78.33 грн
250+ 74.64 грн
500+ 63.8 грн
1000+ 57.01 грн
Мінімальне замовлення: 128
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.45 грн
10+ 102.06 грн
25+ 101.03 грн
100+ 88.19 грн
250+ 80.41 грн
500+ 62.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 17661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+117.01 грн
113+ 104.34 грн
117+ 100.44 грн
200+ 95.91 грн
500+ 83.5 грн
1000+ 76.81 грн
2000+ 75.48 грн
5000+ 73.3 грн
10000+ 72.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+122.18 грн
107+ 109.91 грн
108+ 108.81 грн
119+ 94.98 грн
250+ 86.6 грн
500+ 66.84 грн
Мінімальне замовлення: 96
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.21 грн
10+ 134.22 грн
11+ 77.19 грн
29+ 73.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 6944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.82 грн
10+ 143.75 грн
100+ 114.42 грн
500+ 90.86 грн
1000+ 77.09 грн
2000+ 73.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en-1731191.pdf MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.04 грн
10+ 142.03 грн
100+ 102.81 грн
500+ 86.12 грн
1000+ 75.44 грн
5000+ 72.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.1 грн
3+ 187.19 грн
10+ 161.06 грн
11+ 92.63 грн
29+ 87.62 грн
5000+ 84.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON 1849732.pdf Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, BRT, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+222.43 грн
10+ 177.5 грн
100+ 143.04 грн
500+ 109.18 грн
1000+ 77.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній