Інші пропозиції BSC030P03NS3GAUMA1 за ціною від 42.13 грн до 190.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V |
на замовлення 27946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |