Інші пропозиції BSC030P03NS3GAUMA1 за ціною від 51.66 грн до 200.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P3 Gate-source voltage: ±25V |
на замовлення 2372 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V |
на замовлення 9972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3 |
на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 16636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: 18кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
| BSC014N04LSI Код товару: 196252
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





