Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
Код товару: 142919
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC030P03NS3GAUMA1 за ціною від 54.84 грн до 226.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.42 грн
5+132.35 грн
10+115.38 грн
25+95.87 грн
50+83.99 грн
100+73.81 грн
250+65.33 грн
500+59.39 грн
1000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 14308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.75 грн
10+130.50 грн
100+77.53 грн
500+62.45 грн
1000+58.71 грн
2500+56.81 грн
5000+54.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.78 грн
10+141.18 грн
100+97.00 грн
500+73.27 грн
1000+67.57 грн
2000+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC030P03NS3G.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+175.42 грн
5+132.35 грн
10+115.38 грн
25+95.87 грн
50+83.99 грн
100+73.81 грн
250+65.33 грн
500+59.39 грн
1000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 14308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+204.75 грн
10+130.50 грн
100+77.53 грн
500+62.45 грн
1000+58.71 грн
2500+56.81 грн
5000+54.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+226.78 грн
10+141.18 грн
100+97.00 грн
500+73.27 грн
1000+67.57 грн
2000+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon-BSC030P03NS3G.pdf
Виробник: Infineon Technologies
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BSC014N04LSI
Код товару: 196252
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.