BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 55.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC030P03NS3GAUMA1 за ціною від 48.06 грн до 198.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V |
на замовлення 1636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 16636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3 |
на замовлення 5077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 Код товару: 142919
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC030P03NS3GAUMA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 3808 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSC030P03NS3GAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |




