BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies


bsc030p03ns3g_2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC030P03NS3GAUMA1 за ціною від 48.97 грн до 207.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+66.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+70.19 грн
182+69.63 грн
201+63.20 грн
500+56.34 грн
1000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+71.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+82.03 грн
10+75.38 грн
25+74.78 грн
100+65.44 грн
500+56.02 грн
1000+50.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.28 грн
500+74.12 грн
1000+65.57 грн
5000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+113.02 грн
10+97.45 грн
25+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+114.04 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON 1849732.pdf Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+171.50 грн
50+123.91 грн
250+94.28 грн
1000+73.96 грн
3000+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 16636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+182.47 грн
103+124.18 грн
115+110.66 грн
500+89.60 грн
2000+76.01 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 24975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.28 грн
10+123.15 грн
100+84.55 грн
500+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en-1731191.pdf MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.31 грн
10+149.12 грн
100+100.85 грн
500+83.24 грн
1000+79.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1
Код товару: 142919
Додати до обраних Обраний товар

BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 BSC030P03NS3GAUMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.02 грн
16+76.04 грн
44+71.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.