BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies


bsc030p03ns3g_2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC030P03NS3GAUMA1 за ціною від 48.06 грн до 198.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+67.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+68.89 грн
182+68.34 грн
201+62.02 грн
500+55.29 грн
1000+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+80.51 грн
10+73.98 грн
25+73.39 грн
100+64.23 грн
500+54.98 грн
1000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.38 грн
500+71.06 грн
1000+62.86 грн
5000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+110.92 грн
10+95.64 грн
25+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.04 грн
10+108.06 грн
100+77.25 грн
500+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON 1849732.pdf Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.40 грн
50+118.78 грн
250+90.38 грн
1000+70.90 грн
3000+64.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 16636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+179.08 грн
103+121.87 грн
115+108.61 грн
500+87.94 грн
2000+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC030P03NS3G_DS_v02_01_en-1731191.pdf MOSFETs P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.73 грн
10+142.95 грн
100+96.68 грн
500+79.80 грн
1000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1
Код товару: 142919
Додати до обраних Обраний товар

BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc030p03ns3g_2.0.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 BSC030P03NS3GAUMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.53 грн
16+71.93 грн
43+68.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.