Технічний опис BSC032N03S G INF
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSC032N03S G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC032N03SG | Виробник : INF |
 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSC032N03SG | Виробник : INFINEON |
|
на замовлення 1226 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSC032N03SG | Виробник : infineon |
06+ |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSC032N03SG | Виробник : INFINEON |
06+ P-TDSON- |
на замовлення 1276 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSC032N03SG | Виробник : INFINEON |
07+ DIP16 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSC032N03S G | Виробник : Infineon | 09+ |
на замовлення 907 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSC032N03SG | Виробник : infineon |
09+ |
на замовлення 756 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BSC032N03SG | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|
|
|
BSC032N03SG | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V |
товар відсутній |