BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 19.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.
Інші пропозиції BSC032N04LSATMA1 за ціною від 23.82 грн до 107.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC032N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC032N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC032N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC032N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1108 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC032N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC032N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC032N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC032N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
на замовлення 62992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BSC032N04LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
BSC032N04LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 52W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm |
на замовлення 22010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BSC032N04LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 52W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm |
на замовлення 22010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC032N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 26.82 грн |
| BSC032N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 26.82 грн |
| BSC032N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 995+ | 35.65 грн |
| 1078+ | 32.88 грн |
| BSC032N04LSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 80.54 грн |
| 8+ | 56.51 грн |
| 10+ | 51.52 грн |
| BSC032N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.32 грн |
| 10+ | 49.81 грн |
| 50+ | 36.91 грн |
| 100+ | 30.72 грн |
| 500+ | 23.82 грн |
| BSC032N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 107.53 грн |
| 11+ | 72.35 грн |
| 50+ | 55.36 грн |
| 100+ | 47.84 грн |
| 500+ | 33.70 грн |
| 5000+ | 29.31 грн |
| BSC032N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 132+ | 107.53 грн |
| 196+ | 72.35 грн |
| 257+ | 55.36 грн |
| 286+ | 47.84 грн |
| 500+ | 33.70 грн |
| 5000+ | 29.31 грн |
| BSC032N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 62992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC032N04LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC032N04LSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 22010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC032N04LSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 22010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)