Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC032N04LSATMA1
BSC032N04LSATMA1

BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V.

Інші пропозиції BSC032N04LSATMA1 за ціною від 22.27 грн до 103.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC032N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.85 грн
6+71.27 грн
10+61.93 грн
50+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.70 грн
10+61.47 грн
100+40.76 грн
500+29.91 грн
1000+27.22 грн
2000+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC032N04LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 17778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.61 грн
10+64.44 грн
100+37.21 грн
500+29.11 грн
1000+24.67 грн
2500+24.46 грн
5000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LS-DTE.pdf
BSC032N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+96.85 грн
6+71.27 грн
10+61.93 грн
50+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d
BSC032N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.70 грн
10+61.47 грн
100+40.76 грн
500+29.91 грн
1000+27.22 грн
2000+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 Infineon-BSC032N04LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf
BSC032N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 17778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.61 грн
10+64.44 грн
100+37.21 грн
500+29.11 грн
1000+24.67 грн
2500+24.46 грн
5000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.