Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC032N04LSATMA1
BSC032N04LSATMA1

BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+20.02 грн
15000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.

Інші пропозиції BSC032N04LSATMA1 за ціною від 24.33 грн до 120.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 30131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.86 грн
50+37.71 грн
100+31.38 грн
500+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC032N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.86 грн
6+73.96 грн
10+63.98 грн
50+54.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+120.02 грн
176+80.70 грн
208+68.23 грн
500+56.95 грн
1000+50.03 грн
5000+39.69 грн
10000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC032N04LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 24971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 24971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC032N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC032N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d
BSC032N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 30131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.88 грн
10+50.86 грн
50+37.71 грн
100+31.38 грн
500+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LS-DTE.pdf
BSC032N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.86 грн
6+73.96 грн
10+63.98 грн
50+54.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC032N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+120.02 грн
176+80.70 грн
208+68.23 грн
500+56.95 грн
1000+50.03 грн
5000+39.69 грн
10000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 Infineon-BSC032N04LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf
BSC032N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf
BSC032N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d
BSC032N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 24971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d
BSC032N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 24971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.