BSC032N04LSATMA1

BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.11 грн
10000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC032N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC032N04LSATMA1 за ціною від 24.79 грн до 102.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.26 грн
250+47.23 грн
1000+29.36 грн
3000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC032N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.59 грн
18+52.62 грн
47+49.57 грн
500+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC032N04LS_DataSheet_v02_02_EN-3360896.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 13637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.45 грн
10+68.79 грн
100+49.57 грн
500+43.42 грн
1000+35.36 грн
2500+35.22 грн
5000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.81 грн
50+62.26 грн
250+47.23 грн
1000+29.36 грн
3000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC032N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.63 грн
5+81.73 грн
18+63.15 грн
47+59.49 грн
500+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC032N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bc4f341701d Description: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 12131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.41 грн
10+59.33 грн
100+39.56 грн
500+28.88 грн
1000+26.29 грн
2000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+102.80 грн
176+69.13 грн
208+58.44 грн
500+48.79 грн
1000+42.86 грн
5000+34.00 грн
10000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc032n04ls-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.