BSC032NE2LSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 20.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC032NE2LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm.
Інші пропозиції BSC032NE2LSATMA1 за ціною від 20.02 грн до 72.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC032NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC032NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC032NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC032NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC032NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V |
на замовлення 1758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC032NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS |
на замовлення 7770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC032NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC032NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSC032NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC032NE2LSATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
BSC032NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC032NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |