BSC033N08NS5SCATMA1

BSC033N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC033N08NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d501ca530f10 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+103.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC033N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC033N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 144 A, 0.0033 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 144A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC033N08NS5SCATMA1 за ціною від 93.47 грн до 296.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC033N08NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d501ca530f10 Description: INFINEON - BSC033N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 144 A, 0.0033 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+147.65 грн
500+118.19 грн
1000+104.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC033N08NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d501ca530f10 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
на замовлення 7534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.20 грн
10+186.82 грн
100+131.43 грн
500+101.13 грн
1000+93.99 грн
2000+93.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC033N08NS5SC_DataSheet_v02_01_EN-3360722.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.16 грн
10+193.98 грн
100+121.78 грн
250+121.03 грн
500+100.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC033N08NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d501ca530f10 Description: INFINEON - BSC033N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 144 A, 0.0033 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+296.99 грн
10+207.05 грн
100+147.65 грн
500+118.19 грн
1000+104.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC033N08NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC033N08NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d501ca530f10 SP001691008
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.